http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
LPCVD로 증착한 텅스텐 박막의 증착 조건 제어에 의한 접착성 및 저항 특성 향상
노관종(Kwanchong Roh),윤선필(Sunpil Youn),윤영수(Youngsu Youn),노용한(Yonghan Roh) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.4
LPCVD 방식에 의해 산화막과의 접착성이 양호하고 ~10μΩㆍ㎝의 낮은 비저항을 갖는 텅스텐 박막을 성장시킬 수 있었다. 텅스텐의 산화막에 대한 접착성은 기판온도가 높을수록, SiH₄/WF_6 비율이 증가할수록 우수하였다. 특히, 가스 비율이 2인 경우 350℃에서도 텅스텐의 성장이 가능하였으며, β-W의 성장으로 비저항이 높았으나 H₂ carrier 가스를 증가시켜 최소화시킬 수 있었다. 따라서, 텅스텐의 산화막에 대한 접착성 향상을 위해 복잡한 증착 공정이나 부가적인 공정을 사용하지 않고 단순히 증착온도, 가스 비율, carrier 가스 조건을 조절함에 의해 해결될 수 있음을 확인하였다. Tungsten(W) thin films with good adhesion property and low resistivity (~10μΩㆍ㎝) were deposited directly on SiO₂ by LPCVD. The adhesion property of W thin films on SiO₂ improves as the temperature and/or SiH₄/WF_6 gas ratio increase. Specifically tungsten thin films could be deposited on SiO₂ even at 350℃ if the gas ratio of 2 was employed. The resistivity of tungsten thin films deposited at 350℃ was high due to the presence of β-W. However, the resistivity can be minimized by increasing the amount of H₂ gas flow. Therefore, it is shown in this work that the adhesion of tungsten thin films on SiO₂ can be improved simply by controlling the process parameters (e.g., temperature, gas ratio and H₂ flow rate) without employing complex deposition methods or additional glue layers.