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Inductively Coupled Plasma Etching of GST Thin Films in Cl₂/Ar Chemistry
유금표(Kum-Pyo Yoo),박은진(Eun-Jin Park),김만수,이승환(SeungHwan Yi),권광호(Kwang-Ho Kwon),민남기(Nam-Ki Min) 대한전기학회 2006 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2006 No.7
Ge₂Sb₂Te?(GST) thin film at present is a promising candidate for a phase change random access memory (PCRAM) based on the difference in resistivity between the crystalline and amorphous phase. PCRAM is an easy to manufacture, low cost storage technology with a high storage density. Therefore today several major chip manufacturers are investigating this data storage technique. Recently, A. Pirovano et al. showed that PCRAM can be safely scaled down to the 65 ㎚ technology node. G. T Jeonget al. suggested that physical limit of PRAM scaling will be around 10 ㎚ node. Etching process of GST thin films below 100 ㎚ range becomes more challenging. However, not much information is available in this area. In this work, we report on a parametric study of ICP etching of GST thin films in Cl₂/Ar chemistry. The etching characteristics of Ge₂Sb₂Te? thin films were investigated using an inductively coupled plasma (ICP) of Cl₂/Ar gas mixture. The etch rate of the GST films increased with increasing Cl₂ flow rate, source and bias powers, and pressure. The selectivity of GST over the SiO₂2 films was higher than 10:1. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was performed to examine the chemical species present in the etched surface of GST thin films. XPS results showed that the etch rate-determining element among the Ge, Sb, and Te was Te in the Cl₂/Ar plasma.
유금표(Kum-Pyo Yoo),최우석(Woo-Suk Choi),김재서(Je-Sung Kim),이승환(SeungHwan Yi),권광호(Kwang-Ho Kwon),민남기(Nam-Ki Min) 대한전기학회 2006 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2006 No.7
MEMS형 써모파일은 온도계, 유속, 가스, 칼로리미터 등 다양한 산업 분야에 용용 되고 있다. 현재 상용화되어 있는 대부분의 MEMS형 써모파일에서는 습식 이 방성 에칭방식으로 다이어프램을 제작하고, 막의 구성은 산화막/질화막/산화막 혹은 산화막/질화막의 적층으로 되어 있다. 본 논문에서는 XeF₂시스템을 사용해 전면으로부터 에칭하여 저응력 질화막을 다이어프램을 제작하였고, 열전대 물질로는 poly-Si과 Al을 사용하였다. 그리고 각각의 열전쌍은 열접점에서 Al 패턴시, 사각형의 오픈 연적을 두어 접합된 모양을 달리하여 설계 제작하였다. 소자의 크기는 2×2㎟이고, 능동영역은 400×400㎛²이다. 써모파일의 출력은 적외선 램프의 전력이 3W(80℃)일 때, 오용된 연적이 증가할 수록 출력이 증가하였으며, 오픈된 면적이 300㎛² 일때의 출력은 약l ㎷로 나타났다. 이러한 특성으로부터 계산된 오픈된 면적에 따른 출력비는 약 0.3㎷/㎛²이다.
C-축 배향된 ZnO 박막을 이용하여 제작한 압전형 마이크로 스피커의 특성 평가
이승환,서경원,유금표,권순용,Yi Seung-Hwan,Seo Kyong-Won,Ryu Kum-Pyo,Kweon Soon-Young 한국전기전자재료학회 2006 전기전자재료학회논문지 Vol.19 No.6
A micromachined piezoelectric microspeaker was fabricated with a highly c-axis oriented ZnO thin film on a silicon-nitride film having compressive residual stress. When it was measured 3 mm away from the microspeaker in open field, the largest sound pressure level produced by the fabricated microspeaker was about 91 dB at around 2.9 kHz for the applied voltage of $6\;V_{peak-to-peak}$. The key technologies to these successful results were as follows: (1) the usage of a wrinkled diaphragm caused by the high compressive residual stress of silicon-nitride thin film, (2) the usage of the highly c-axis oriented ZnO thin film.