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- 저자 : 양병도(Byeong-Do Yang) (검색결과 4 건)
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양병도,김이섭,Yang, Byeong-Do,Kim, Lee-Seop 대한전자공학회 2002 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.39 No.2
문턱전압 스윙 드라이버(threshold voltage swing driver)와 이중 감지 증폭기 리시버(dual sense amplifier receiver)를 가진 새로군 고속 저전압 스윙 온 칩 버스 (on-chip BUS)를 제안하였다. 문턱전압 스윙 드라이버는 버스에서의 전압상승 시간을 CMOS 인버터(inverter) 드라이버에서의 약 30% 이내로 줄여주고, 이중 감지 증폭기 리시버는 감지 증폭기 리시버를 사용하는 기존의 저전압 스윙 버스들의 데이터 전송량을 두 배 향상시켜 준다. 문턱전압 스윙 드라이버와 이중 감지 증폭기 리시버를 모두 사용할 경우, 온 칩 버스에서 사용하는 기존의 CMOS 인버터와 비교하여 제안된 방식은 약 60%의 속도 증가와 75%의 소모전력 감소를 얻는다. A new high speed and low voltage swing on-chip BUS using threshold voltage swing driver and dual sense amplifier receiver is proposed. The threshold voltage swing driver reduces the rising time in the bus to 30% of the full CMOS inverter driver and the dual sense amplifier receiver increases twice the throughput. of the conventional reduced-swing buses using sense amplifier receiver. With threshold voltage swing driver and dual sense amplifier receiver combined, approximately 60% speed improvement and 75% power reduction are achieved in the proposed scheme compared to the conventional full CMOS inverter for the on-chip bus.
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양병도,김이섭,Yang, Byeong-Do,Kim, Lee-Seop 대한전자공학회 2001 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.38 No.11
새로운 저전력 전하 재활용 롬(charge recycling ROM) 구조를 제안하였다. 전하 재활용 롬은 전력 소모를 줄이기 위하여 전체 롬에서의 소모전력의 약90%를 소모하는 비트라인(bit line)에 전하 재활용 방식을 사용한 롬이다. 제안된 방식을 사용하였을 경우, 비트라인의 수가 무한이 많고 감지 증폭기(sense amplifier)가 무한히 미세한 전압차를 감지할 수 있다면, 롬의 비트라인은 전력을 거의 소모하지 않는다. 그러나, 실제 존재하는 감지 증폭기는 매우 작은 전압차를 감지할 수 없기 때문에, 롬에서의 전력 감소량은 제한된다. 모의 실험 결과는 전하 재활용 롬이 기존의 저 전력 콘택트 프로그래밍 롬(contact programming ROM)의 13% ∼ 78% 전력만을 소모함을 보여준다. A new low power charge-recycling ROM architecture is proposed. The charge-recycling ROM uses charge-recycling method in bit lines of ROM to save the power consumption. About 90% of the total power used in the ROM is consumed in bit lines. With the proposed method, power consumption in ROM bit lines can be reduced asymptotically to zero if the number of bit lines is infinite and the sense amplifiers detect infinitely small voltage difference. However, the real sense amplifiers cannot sense very small voltage difference. Therefore, reduction of power consumption is limited. The simulation results show that the charge-recycling ROM only consumes 13% ~ 78% of the conventional low power contact programming mask ROM.
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