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손종형,정정화 한국통신학회 2000 韓國通信學會論文誌 Vol.25 No.1
본 논문에서는 소형으로 설계된 칼라 4화면 분할기를 위한 메모리 제어 알고리듬을 제안한다. 4화면 분할기는 크게 비디오 디코더부, 메모리부, 비디오 인코더부, OSD (On Screen Display)부, MICOM부, 제어부로 구성되어 있다. 본 논문의 칼라 4화면 분할기는 비디오 디코더부와 비디오 인코더부를 각각 원칩을 이용하여 설계하였으며, 제어부를 FPGA를 사용하여 원칩으로 제작하였다. 화면 4분할을 위해서 메모리 읽기 신호를 실 시간으로 제어하여 비디오 시스템을 제작하였다. 사용된 메모리 제어알고리듬은 비디오신호제어 및 디지털 메모리를 이용하는 다른 시스템에 적용될 수 있다.
손종형,한백형 한국통신학회 1992 韓國通信學會論文誌 Vol.17 No.8
본 논문은 latch-up의 가능성을 최소화하는 여러가지 방법 중 공정이나 재질 변겨에 의한 방법이 아닌, mask의 layout 변경에 의한 latch-up 최소화 방법에 대하여 기술하였다. 기존의 공정이나 재질 변경에 의한 방법이 어려운 공정이나 특수 시설 사용을 전제로 하고 있는 반면, mask의 layout 변경에 의한 방법은 기존의 공정을 그대로 사용할 수 있는 장점을 갖고 있다. Layout 변경에 의한 latch-up 최소화 방법 수행을 위하여 substrate의 N+와 S-W접합(substrate-well 접합 )사이의 거리를 a, S-W 접합에서 well의 P+까지의 거리를 b로 하여 a와 b가 다른 6개의 latch-up model과 guard ring 구조를 갖는 3개의 latch-up 모델을 만들어 latch-up관련 변수에 대하여 비교 검토 하였다. This paper deals with a detailed analysis of CMOS latch up dependancies on the layout and geo-metrical demensions on the mask using same materials and same processes. For this purpose, six different layout models depending upon the N+ / P+ spacing and three different guard ring models have been gesigned, fabricated, and tested. As a result, common emitter current gain, shunt resistance, and holeing current versus N+/P+ spacing have been measured and analyzed experimentally. Also the fact that guard ring is sffective in reducing the latchup possibility has been verified through this study.
초박막의 $N_2O$ 어닐링한 터널링 산화막을 갖는 Flash Memory Cell의 SILC 특성 및 성능
손종형,정정화,Son, Jong-Hyoung,Chong, Jong-Wha 대한전자공학회 1999 電子工學會論文誌, D Vol.d36 No.10
본 논문은 두께가 각각 다른 습식 산호막의 정전류 스트레스에 따른 SILC를 측정하여 SILC의 전도 mechanism 및 발생원인을 조사하였다. $N_2O$ 어닐링한 산화막의 SILC 특성도 조사하였다. 또한, 60A 두께의 $N_2O$ 어닐링한 터널링 산호막을 갖는 ,flash memory cell을 $0.25{\mu}m$ 설계규칙에 따라 제작하여 그 특성을 측정하였다. 그 결과, SILC의 발생 원인은 전기적 스트레스 인가에 따른 산호막내에 생성된 트랩 때문이며, SILC의 전도 mechanism은 전기장 세기가 8MV/cm 이하일 때 산호막 트랩을 경유한 modified F-N 터널링이 8MV/cm 이상일 때 전형적인 F-N터널링이 주도적임을 알 수 있었다. 60A의 $N_2O$ 어닐링한 산화막은 SILC에 대한 내성 측면에서 큰 개선 효과가 있음을 알 수 있었다. 또한 이 막을 flash memory cell의 터널링 산호막으로 이용할 경우, $10^6$회의 endurance와 10년 이상의 드레인 disturb가 보장되고 8V-프로그래밍이 가능한 특성을 얻을 수 있었다. In this paper, we have studies the transport mechanism and origin of SILC for the various thickness of wet oxide. Also, SILC characteristics of $N_2O$ annealed oxide was included in this study. We made the flash memory cell with $N_2O$ annealed oxide of 60Athick under $0.25{\mu}m$ design rule, and measured the characteristics of the cell. As a result, we have found that the origin of SILC is due to the trap formed inside of the oxide layer by electrical stress. And we reached the conclusion that the transport mechanism of SILC is ruled by the modified F-N tunneling if the electric field is lower than 8MV/cm or typical F-N tunneling if the electric field is higher than 8MV/cm. We could also confirm the fact that $N_2O$ annealed oxide of 60Athick have an improved resistance effect against SILC. In case that we apply $N_2O$ annealed oxide of 60Athick to the flash memory, we could confirm $10^6$ times endurance and more than 10 years drain disturb, and could get 8V programmable flash memory characteristics.
CMOS의 Latch-Up 특성 개선을 위한 효과적인 Mask 설계 방법
손종형,정정화 한국통신학회 1999 韓國通信學會論文誌 Vol.24 No.10
본 논문은 CMOS의 latch-up 특성을 개선하기 위한 효과적인 mask 설계 방법에 관한 것이다. Mask의 평면구조와 latch-up 파라메타와의 상관관계를 실물 제작에 의한 실험과 컴퓨터 시뮬레이션에 의해 도출하였으며, guard ring의 효과에 대해서도 비교 분석하였다. 실험 결과, 수평구조 바이폴라 트랜지스터의 전류증폭률($\beta$n)이 디자인룰에 반비례하였으며, 수직구조 바이폴라 트랜지스터의 전류증폭률($\beta$n)은 디지인룰과 무관하였다. 스위칭전압과 유지전류는 디자인룰에 비례하였다. Guard ring은 latch-up의 가능성을 줄이는 데 상당한 효과가 있었음이 확인되었으며, Guard ring이 없는 경우에 비하여 전류증폭률의 곱($\beta$n$\beta$n)이 약 31% 감소, 유지전류는 약 25%가 향상됨을 확인하였다.
손종형,한백형 한국통신학회 1992 韓國通信學會論文誌 Vol.17 No.9
As the dynamics model for industrial robot is a mutural coupling of inertia, centrifugal force, gravity, etc it is very difficult to get solution to the question how it works. To control such complex non-linear features of the manipulator, it is required to develop a lot simpler algorithm on the real time.
손종형,Son, Jong-Hyeong 한국정보통신집흥협회 1996 정보화사회 Vol.108 No.-
우리의 전자산업은 빠른 속도로 변하고 있다. 과거에는 컴퓨터, 통신, 반도체를 전자산업의 핵심으로 보고 있었으나 최근에는 양상이 바뀌고 있다. 과거에는 컴퓨터는 컴퓨터 산업대로 성장을 해왔고, 통신은 통신대로 성장을 해왔으나 최근에는 컴퓨터와 커뮤니케이션이 통합이 되어 어떤 것이 컴퓨터고 어느 것이 커뮤니케이션인지 구분이 가지 않을 정도로 통합이 되고 있다.