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Langmuir-Blodgett(LB)법을 이용한 (N-docosyl pyridinium)-TCNQ(1:2) 착체의 초박막 제작
손병청,정순욱,손태원,강훈,강도열,Shon, Byoung-Chung,Jeong, Soon-Wook,Shon, Tae-Won,Kang, Hun,Kang, Dou-Yol 한국전기전자재료학회 1988 電氣電子材料學會誌 Vol.1 No.4
본 논문에서는 Langmuir-Blodgett법으로 유기초박막을 제작하기 위하여 시료인 (N-docosyl pyridinium)-TCNQ(1:2) 작제를 합성하고 이를 초박막으로 제작한 다음, U.V측정, capacitance측정, 그리고 기판과 수직한 방향의 도전율등을 측정하여 막이 잘 이루어지고 있음을 확인하였다. 한편, 하부 전극을 Al로 할 경우 전극표면에 생기는 자연 산화막(Al$_{2}$O$_{3}$)의 두께는 37.1.angs.정도이었으며 기관과 수직한 방향의 도전율은 약 $10^{-14}$S/cm로 양호한 절연성이었다.
MEH - PPV 공액성 고분자 Langmuir - Blodgett 막의 제작에 관한 연구
이명호,김영관,손병청 ( Myung Ho Lee,Young Kwan Kim,Byoung Chung Shon ) 한국유화학회 1997 한국응용과학기술학회지 Vol.14 No.3
In this study, MEH-PPV was synthesized and MEH-PPV and its mixtures with PMMA were deposited on substrates with Langmuir-Blodgett(LB) technique and their photoluminescent char acteristics were investigated using UV-Vis absorption spectroscopy, and photoluminescence(PL) measurements. The surface morphology of the LB films of MEH-PPV and its mixture with PMMA were investigated using Atomic Force Microscopy(AFM). Electroluminescent devices using LB films were fabricated with Al and ITO as a top and bottom electrode, respectively, and their I-V characteristics were investigated.