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Nonlinear Behavioral Modeling of W-CDMA InGaP HBT Power Amplifiers for Predicting Spectral Regrowth
범진욱,김도형,김재관 한국물리학회 2008 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.53 No.4
Simple and acurate nonlinear behavioral models of power amplifiers (PAs) are required when a total radio-frequency (RF) transceiver is designed, especialy on a board, because the simula- tion time depends on the complexity of the model. The wideband code division multiple aces (W-CDMA) RF standard requires the suppresion of spectral regrowth, which may interupt communication on an adjacent channel. Spectral regrowth can posibly be predicted for the total RF system. The spectral regrowth caused by nonlinearity appears differently depending on the ma- terials of the RF transistor or the RF modulations. Therefore, it is important to find a proper InGaP heterojunction bipolar transistor (HBT) power amplier model for W-CDMA by considering its complexity and acuracy. The polynomial model is chosen to predict the spectral regrowth because InGaP HBT is relatively linear, exhibiting low memory effect for W-CDMA modulation. Various high-order polynomial nonlinear equations from 7th- to 17th-order polynomial functions were established for PA modeling and the results were compared with each other. As a result, a polynomial model of 11th- or more order can predict the adjacent channel power leakage les than about a 0.9-dB eror over the whole10-dB output power range from 15.4 to 25.4 dBm for W-CDMA InGaP HBT power amplifiers.
범진욱,윤상원 한국전기전자재료학회 1999 전기전자재료 Vol.12 No.8
InP 소자 기술은 밀리미터파 회로 제작에 지금까지 개발된 기술 중 가장 경쟁력 있는 기술로 InP HEMT와 HBT를 이용하여 100㎓ 이상의 회로가 만들어지고 있다. GaAs 소자 기술에 비해 InP 소자기술은 주파수 특성과 잡음특성, 집적도에 있어서 우수하나 반면에 V-band 이하의 주파수에서 전력특성이 나쁘며, 가격이 비싼 단점이 있다. V-band 이상의 고주파 대역에서 InP 소자기술은 대부분의 면에서 GaAs 소자기술을 능가하여 극초고주파에서 적용가능한 유일한 소자기술이 된다. 본 논문에서는 InP 소자 기술에 대한 기본적인 내용과 응용 예를 소개한다.