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Pseudo MOSFET을 이용한 Nano SOI 웨이퍼의 전기적 특성분석
배영호,김병길,권경욱,Bae, Young-Ho,Kim, Byoung-Gil,Kwon, Kyung-Wook 한국전기전자재료학회 2005 전기전자재료학회논문지 Vol.18 No.12
The Pseudo MOSFET measurements technique has been used for the electrical characterization of the nano SOI wafer. Silicon islands for the Pseudo MOSFET measurements were fabricated by selective etching of surface silicon film with dry or wet etching to examine the effects of the etching process on the device properties. The characteristics of the Pseudo MOSFET were not changed greatly in the case of thick SOI film which was 205 nm. However the characteristics of the device were dependent on etching process in the case of less than 100 nm thick SOI film. The sub 100 nm SOI was obtained by thinning the silicon film of standard thick SOI wafer. The thickness of SOI film was varied from 88 nm to 44 nm by chemical etching. The etching process effects on the properties of pseudo MOSFET characteristics, such as mobility, turn-on voltage, and drain current transient. The etching Process dependency is greater in the thinner SOI wafer.
배영호,문홍규,조중현,박영식,최영준,박장현,임홍서,박선엽,이정호,Bae, Yeong-Ho,Mun, Hong-Gyu,Jo, Jung-Hyeon,Park, Yeong-Sik,Choe, Yeong-Jun,Park, Jang-Hyeon,Im, Hong-Seo,Park, Seon-Yeop,Lee, Jeong-Ho 한국천문학회 2012 天文學會報 Vol.37 No.2
한국천문연구원에서는 우주물체 전자광학 감시체계(OWL: Optical Wide-field Patrol) 구축사업을 통해 북반구 3개소와 남반구 2개소에 0.5m급 관측시설을 설치, 운영할 계획이다. 이 시설은 국적위성과 우주잔해물을 감시하여 궤도정보를 획득하는 것을 목적으로 한다. OWL 관측소는 관측, 자료처리 등 일련의 과정을 자동으로 수행하는 무인감시 시스템이기 때문에 각종 기기들에 대한 전원 제어와 네트워크 연결, 작업 상태 확인 등 관측과 관련된 제반사항 역시 모두 자동으로 이루어진다. 따라서 이들 기기들에 대한 전원 제어 및 네트워크 연결은, 관측소 운용 측면에서 뿐만 아니라 향후 유지 관리를 고려할 때 단순화시켜야할 필요가 있다. 우리는 이 발표를 통해 완전개폐형 돔과 OWL 관측소에 설치될 서브시스템 및 주요 기기들에 대한 전원분배, 제어, 네트워크 연결, 그리고 사이트 보드를 통한 이종 인터페이스 통합에 관한 내용을 소개한다.
SIMOX SOI 제조시 산소석출물의 거동과 전기적 특성에 미치는 영향
배영호(Young-Ho Bae),정욱진(Woo-Jin Chung),금광일(Kwang-Il Kim),권영규(Young-Kyu Kwon),금범만(Bum Man Kim),조찬변(Chan-Sub Cho),이종현(Jong-Hyun Lee) 한국진공학회(ASCT) 1992 Applied Science and Convergence Technology Vol.1 No.1
2×10^(18)ions/㎠의 산소이온이 180keV로 주입된 실리콘웨어퍼를 1250℃에서 6시간 동안 질소분위기로 열처리하여 SIMOX SOI 구조를 제조하였다. 이온주업 후 열처리 과정에서 산소원자의 거동을 AES와 TEM으로 분석하였고, SRP법으로 시료의 전기적 특성을 조사였다. 그 결과 고온의 열처리 후에 SOI층 내에 산소석출물이 존재하고 있음을 관찰할 수 있었으며 이들은 SOI층의 전기적 특성에 심각한 영향을 미침을 알았다. 그리고 열처리과정에서 SOI층 내 산소농도의 감소는 이들 석출물의 성장소멸기구에 지배됨을 알았다. SIMOX SOI structures were formed by oxygen ion implantation with a dose of 2×10^(18) ions/㎠ at 180 keV and post-implantation annealing at 1250℃ for 6 hours in nitrogen ambient. The oxygen redistribution process during post-implantation annealing was examined by AES and TEM. The electrical property of the structure was investigated by SRP method. We could find oxygen precipitates in SOI layer after high temperature annealing. The influence of the precipitates to the electrical property of the SOI layer was discussed. And the limiting factor to the decrease of the precipitates during post-implantation annealing was discussed also.