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설비시스템을 위한 소속함수 폭의 자동동조를 사용한 뉴로퍼지 제어기
이수흠,방근태 한국조명전기설비학회 1997 조명.전기설비 Vol.11 No.2
전력부하 설비시스템에 장치하는 퍼지제어기의 성능은 제어대상의 변화에 민감하여 제어대상이 바뀔때마다 퍼지 소속함수폭이나 제어규칙을 조정해야 한다. 본 논문은 퍼지제어기의 성능에 영향을 미치는 요소들을 종합적으로 고찰하여, 제어대상의 변화에 적응하여 최적의 퍼지 소속함수폭에 자동동조하는 다층 신경회로망을 사용한 성능이 개선된 뉴로퍼지제어기를 제안하여 구성하였다. 이것을 다양한 일차지연요소를 갖는 설비시스템의 시뮬fp에션을 하여 우수한 제어 특성을 확인하였다. The width of fuzzy membership function and control rule has an effect on performance of the fuzzy controller for electric equipment systems. In this paper, the neuro-fuzzy controller is proposed to im¬prove the performance of fuzzy controller. It has the width of membership function, that is adapted to the electrical parameter using multi-layer neural network, it is applied to first order electric power system with dead time and various plant constant. The related simulation resolts show that the pro¬posed neuro fuzzy controller are superior characteristics of improved performance
박재철(J. C. Park),홍성태(S. T. Hong),방근태(K. T. Bang) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.1
MWPECVD법으로 CH₃CHO-H₂계와 CH₄H₂-O₂계로부터 Si기판 위에 다이아몬드박막을 성장시키고, 성장된 박막을 SEM, XRD 및 Raman 분광기로 평가하고, 박막과 입자의 성장율을 조사하였다. 마이크로파전력 950W, 반응관압력 80 torr, 수소유량 200 sccm, 기판온도 950℃ 및 CH₃CHO 농도 3.5%로 5시간 성장시킨 다이아몬드의 박막성장율은 4 ㎛/hr가 되었고, 12%<O₂/CH₃CHO<14%의 산소농도에서 비다이아몬드상 탄소성분을 가장 효과적으로 에칭할 수 있음을 추정할 수 있었다. 마이크로전력 800 W, 반응관압력 80 torr, 수소유량 80 sccm, 메탄농도 7%, O₂/CH₄ 농도 40% 및 기판온도 960℃로 Si기판 위에 5시간 성장시킨 다이아몬드의 박막성장율은 3.2 ㎛/hr가 되었다. Diamond thin films were deposited on Si substrate from CH₃CHO-H₂ system and CH₄-H₂-O₂ system by MWPECVD, and the deposited films were identified by SEM, XRD and Raman spectroscopy, and the growth rate was investigated. The growth rate of diamond films was 4 ㎛/hr and it of diamond particles was 11.5 ㎛/hr at the condition of power: 950 W, pressure: 80 torr, H₂ flow rate: 200 sccm, substrate temp.: 950℃ and CH₃CHO concentration: 3.5% and deposition time: 5 hr. It was deduced that etching of non-diomand phase carbon components was the most effective at 12%<O₂/CH₃CHO<14% of O₂ concentration. The growth rate of diamond films was 3.2 ㎛/hr at the condition of power: 800 W, pressure: 80 torr, H₂ flow rate: 80 sccm, substrate temp.: 960℃, CH₄ concentration: 7%. O₂/CH₄ concentration: 40% and deposition time: 5 hr.