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고주파플라즈마CVD법에 의한 Diamond 박막의 성장과 특성
박상현(S. H. Park),장재덕(J. D. Jang),최종규(J. K. Choi),이취중(C. C. Lee) 한국진공학회(ASCT) 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.3
고주파플라즈마 CVD법으로 CH₄와 H₂의 혼합가스로부터 실리콘과 석영기판 위에 다이아몬드 임자와 박막을 성장시켰다. 기판과 기판지지대 사이에 금속판을 삽입함으로써 기판의 온도와 성장된 박막의 두께를 비교적 균일하게 할 수 있었다. 방전전력이 같은 경우 성장된 박막의 형태는 반응관 압력을 증가시킴에 따라 자형면을 가진 업자로부터 미립자 또는 구상의 입자로 변화되었다. H₂와 CH₄의 혼합가스로부터 Si기판 위에 다이아몬드 박막을 성장시키는 경우, CH₄ 농도가 0.5vol% 이하가 되어야만 양질의 다이아몬드 박막을 성장시킬 수 있었다. 성장된 다이아몬드 박막은 SEM, XRD 및 Raman 분광기를 사용하여 평가하였다. The diamond particles and films were deposited on Si and qurtz substrate from CH₄-H₂ mixed gas by using RF plasma CVD. The temperature of substrate and the thickness of films deposited on Si substrate were uniformly kept up by inserting metal plate between substrate and substrate holder. On increasing the reaction pressure in the same discharge power, the morphologies of films were changed from well-defined films to micro-crystal or ball-like. When diamond films were deposited on Si substrate from CH₄-H₂ mixed gas, we obtained well-defined diamond films at lower concentration than 0.5vol% of CH₄/H₂. The deposited diamond films were identified by SEM, XRD and Raman spectroscopy.
포스터 발표 : 위 ; Helicobacter pylori에 대한 포도주(wine)의 항세균 효과
김도형 ( D. H. Kim ),노임환 ( I. H. Roe ),허재형 ( J. H. Heo ),박상현 ( S. H. Park ),남승우 ( S. W. Nam ),임창영 ( C. Y. Lim ),송일한 ( I. H. Song ),김정원 ( J. W. Kim ),명나혜 ( N. H. Myung ),신지현 ( J. H. Shin ) 대한소화기학회 2002 대한소화기학회 춘계학술대회 Vol.2002 No.-
〈목적〉 위장질환을 일으키는 H. pylori를 억제시키는 항생제가 아닌 물질들은 새로운 대체요법으로 최근 들어와서 여러 가지 식용물질들에 대해 탐색되고 있다. 본 연구에서는 포도주의 항세균 효과를 생체내,외 실험으로 연구하였다. 〈방법〉 포도주는 적포도주(프랑스산, pH 3.9, 알코올농도 12%)와 백포도주(마주앙, pH 3.22, 알콜농도 11%)를 이용하였으며 같은 pH와 같은 알코올농도의 소주(참이슬, pH 7.87, 알코올농도 22%)로 비교
남기우(K.W. Nam),문희준(H.J. Moon),박상현(S.H. Park),김은선(E.S. Kim),서현수(H.S. Seo),김종순(J.S. Kim) 대한기계학회 2009 대한기계학회 춘추학술대회 Vol.2009 No.11
Zinc coatings are widely used in practice for preventing the corrosion of steel. But the zinc coating can be involved by corrosion phenomena with the consequence that some steel surface is unprotected. The reduction of the corrosion rate of zinc is an important topic. In the past a very popular way to reduce the corrosion rate of zinc was the use of chemical conversion layers based on Cr??. However, there is the important problem that the use of chromium salts is now restricted because of environmental protection legislation. Therefore very important to develop new zinc surface treatments environmentally friendly to improve the corrosion resistance of zinc and the adhesion with the final organic protective layer. In this study, Urethane solution (only Urethane 20 % ; S-700) and organic/inorganic solution with Si (Si polysilicate 10 % + Urethane 6 % + hardner 4 % ; LRO317-1)are used. Based on the salt spray test of 72h, S-700 and LRO317-1 had a superior effect on EGI and HGI, respectively.
비정질실리콘 태양전지에 대한 장시간 성능예측: 확장지수함수 모형 및 컴퓨터 모의실험
박상현,유종훈,Park, S.H.,Lyou, Jong-H. 한국진공학회 2012 Applied Science and Convergence Technology Vol.21 No.4
태양광에 노출되어있는 동안 비정질실리콘 태양전지에서 일어나는 장시간 성능변화에 대해서 연구하였다. 그리고 결함밀도의 운동학 모형을 통해서 태양광으로 인한 태양전지 성능변화를 예측하였다. 특히, 전하운반자 수명이 결함밀도에 의해서 크게 영향을 받기 때문에 비정질실리콘 태양전지의 광유도 성능감소(light-induced degradation)가 확장지수함수 완화법칙(stretched-exponential relaxation)을 따르는 결함밀도에 의해서 물리적으로 설명된다. 그리고 확장지수함수 완화법칙과AMPS-1D 컴퓨터 프로그램의 모의실험에 의해서 비정질실리콘 태양전지의 광유도 성능감소를 계산했고, 모의실험의 결과를 옥외에 설치한 태양전지의 측정데이터에 비교하였다. 본 연구는 상온에서 다음과 같은 특성을 갖는 전형적인 비정질실리콘pin 태양전지에 대해서 모의실험을 진행했다: 두께${\approx}$300 nm, 내부전위${\approx}$1.05 V, 초기 결함밀도${\approx}5{\times}10^{15}cm^{-3}$, 초기 단락전류${\approx}15.8mA/cm^2$, 초기 채우기비율${\approx}0.691$, 초기 개방전압${\approx}0.865V$, 초기 변환효율${\approx}9.50%$. We study for long-term performance of amorphous silicon solar cells under light exposure. The performance is predicted with a kinetic model in which the carrier lifetimes are determined by the defect density. In particular, the kinetic model is described by the stretched-exponential relaxation of defects to reach equilibrium. In this report, we simulate the light-induced degradation of the amorphous silicon solar cells with the kinetic model and AMPS-1D computer program. And data measured for outdoor performances of various solar cells are compared with the simulated results. This study focuses on examining the light-induced degradation for the following amorphous silicon pin solar cells: thickness${\approx}$300 nm, built-in potential${\approx}$1.05 V, defect density (at t=0)${\approx}5{\times}10^{15}cm^{-3}$, short-circuit current density (at t=0)${\approx}15.8mA/cm^2$, fill factor (at t=0)${\approx}0.691$, open-circuit voltage (at t=0)${\approx}0.865V$, conversion efficiency (at t=0)${\approx}9.50%$.
Glass / p μc-Si:H 특성에 따른 i μc-Si:H 층 및 태양전지 특성변화 분석
장지훈(Jang, J.H.),이지은(Lee, J.E.),김영진(Kim, Y.J.),정진원(Jung, J.W.),박상현(Park, S.H,),조준식(Cho, J.S.),윤경훈(Yoon, K.H.),송진수(Song, J.),박해웅(Park, H.W.),이정철(Lee, J.C.) 한국신재생에너지학회 2009 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2009 No.06
PECVD를 이용하여 제조된 미세결정질 p-i-n 실리콘 박막 태양전지에서, p 층은 태양전지의 윈도우 역할 및 그 위에 증착될 i {mu}c-Si:H 층의 'seed'층 역할을 수행하기 때문에, p층의 구조적 및 전기적, 광학적 특성은 태양전지의 전체 성능에 큰 영향을 미칠 수 있다. 본 연구에서는 SiH₄ 농도를 변화시켜 각기 다른 결정 특성을 갖는 p {mu}c-Si:H층을 제조하고 그 위에 i {mu}c-Si:H 층을 증착하여 p층의 결정 특성변화와 그에 따른 i {mu}c-Si:H 층 및 'superstrate' p-i-n 미세결정질 실리콘 박막 태양전지의 특성 변화를 조사하였다. P층의 경우, SiH₄ 농도가 증가함에 따라 결정분율 (Xc)이 감소하여 비정질화되었으며 그에 따라 dark conductivity가 감소하는 경향을 나타내었다. 각기 다른 결정분율을 가지는 p 'seed' 층 위에 증착된 태양전지는, p 'seed' 층의 결정분율이 증가함에 따라 개방전압, 곡선인자, 변환효율이 경향적으로 감소하였다. 이는 p 층 결정분율 변화에 따른 p/i 계면특성 저하 및 그 위에 증착되는 i {mu}c-Si:H 층의 결함밀도 증가 등에 따른 태양전지 특성 감소 때문인 것으로 판단되며, 이를 분석하기 위하여 i {mu}c-Si:H 층의 전기적, 구조적 특성 분석 및 태양전지의 dark I-V 특성 등을 분석하고자 한다.