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- 저자 : 박구범(G.P. PARK) (검색결과 7 건)
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오위(AO WEI),신백균(P.-K. SHIN),송창호,박구범(G.-B. Park),유도현(D.-H. Yu),이선우(Sunwoo Lee),이붕주(B.-J. Lee),이덕출(D.-C. LEE) 대한전기학회 2010 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2010 No.7
Recently poly styrene (PPS) and poly vinyl acetate (PVA) are being investigated as a gate insulator for organic thin film transistors(OTFTs), because their dielectric constant for PVA and PPS is high enough to be used for gate insulator in the OTFT device. We report characteristics of single layer dielectric constant for PPS and PVA, and double layer of PPS/PVA prepared by different plasma power. Composition and electrical properties of the plasma polymerized insulating layer were investigated by FT-IR, I-V, and C-V measurements. Influence of the preparation condition on the resulting plasma polymerized thin films were discussed.
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TCP-CVD법을 활용한 공정변수에 따른 산화막의 제작
김창조,최윤,신백균,박구범,신현용,이붕주,Gim, T.J.,Choi, Y.,Shin, P.K.,Park, G.B.,Shin, H.Y.,Lee, B.J. 한국진공학회 2010 Applied Science and Convergence Technology Vol.19 No.2
본 논문에서는 유기발광다이오드의 보호막 적용을 위하여 TCP-CVD를 이용한 실리콘 산화막 형성에서 산화막의 특성에 영향을 미치는 Power, 가스종류 및 유량, 소스와 기판거리 및 공정온도 등의 공정조건에 따른 증착된 산화막의 특성을 나타내는 증착률, 굴절률을 제어하고자 한다. 그 결과 $SiH_4$ : $O_2$ = 30 : 60 [sccm], 70 [mm]의 source와 기판 거리, Bias를 인가하지 않은 조건에서 80 [$^{\circ}C$] 이하의 공정온도를 보였으며 투과율 90% 이상, 높은 증착률 및 굴절률 1.4~1.5인 안정된 $SiO_2$ 산화박막을 제조할 수 있었다. We have fabricated $SiO_2$ oxidation thin films by TCP-CVD (transformer coupled plasma chemical vapor deposition) method for passivation layer of OLED (organic light emitting diode). The purpose of this paper is to control and estimate the deposition rate and refracive index characteristics with process parameters. They are power, gas condition, distance of source and substrate and process temperature. The results show that transmittance of thin films is over 90%, rapid deposition rate and stable reflective index from 1.4 to 1.5 at controled process conditions. They are $SiH_4$ : $O_2$ = 30 : 60 [sccm] gas condition, 70 [mm] distance of source and substrate, no-biased substrate and under 80 [$^{\circ}C$] process temperature.
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노임준(I.J. No),김성현(S.H. Kim),조진우(J.W. Cho),박구범(G.B. Park),김용혁(Y.H. Kim),이덕출(D.C. Lee),신백균(P.K. Shin) 대한전기학회 2009 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2009 No.7
We fabricated FEDs based on ZnO nanowires. ZnO nanowires were synthesized on Au thin films by hydrothermal method on hot plate. After 2 hours, we obtained nanowires of chin form. The high-purity nanowires showed sharp tips geometry with a wurtzite structure. The field emission properties of the ZnO nanowires were investigated in high vacuum chamber. The turn-on field for the ZnO nanowires was found to be about 4.1 V/㎛ at a current density of 0.1 ㎂/㎠.
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