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- 저자 : 노성철(Seong-Cheol Noh) (검색결과 3 건)
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노성철(Seong-Cheol Noh),정창훈(Changhoon Jung) 한국비교정부학회 2021 한국비교정부학보 Vol.25 No.4
(Purpose) Although the budget is the output of policy makers regarding policy preferences and priorities, a clear classification method for IT and information protection budgets is still insufficient in Korea. In addition, systematic research on IT and information protection budgets of central government departments is non-existent. In this study, the trend of the IT budget size and ratio of all central government ministries and agencies during FY 2018-2021 (4 years) is analyzed. (Design/methodology/approach) This study investigates the trends of IT and information protection budgets during the four year period across departments and agencies of Korean central governments. It also conducts two sample t-test to see if there is any significant different between departments and agencies with the IT budge ratio. (Findings) The results of this study show that during the analysis period (FY 2018-2021), the overall central government s IT budget shows an increasing trend, but the ratio of the IT budget to the central government s total budget remains at 1%. In the case of departments, the Ministry of Science and ICT, the Ministry of the Public Administration and Safety, the Ministry of National Defense, the Ministry of Justice, and the Ministry of Health and Welfare showed the largest IT budget in that order. (Research implications or Originality) This study indicates that the Korean government should allocate more budgetary resources on IT and information protection function in order to maintain leading edge in the era of IT. This is one of the first study which systematically analyzes IT budget in Korea.
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Nanotribology를 이용한 PMMA 박막의 Hardness와 Elastic Modulus 특성 연구
김수인,김현우,노성철,윤덕진,장홍준,이종림,이창우,Kim, Soo-In,Kim, Hyun-Woo,Noh, Seong-Cheol,Yoon, Duk-Jin,Chang, Hong-Jun,Lee, Jong-Rim,Lee, Chang-Woo 한국진공학회 2009 Applied Science and Convergence Technology Vol.18 No.5
현대 반도체 공정에서 일정한 패턴을 생성하기 위하여 리소그래피(Lithography) 공정을 이용하고 있으나 선폭의 감소로 인하여 기존 UV를 이용한 PR(Photoresist) 이외에 e-beam을 이용한 PMMA(Polymethyl methacrylate) 리소그래피에 대한 관심이 높아지고 있다. 또한 리소그래피에 의하여 생성된 패턴은 이후 세정 공정에서 잔류물을 제거하는 과정에서 패턴 붕괴를 일으키게 되는데 이러한 패턴 붕괴에 대한 방어력은 패턴 형성 물질의 탄성력(Elastic modulus)과 비례하는 것으로 알려져 있다. 이 논문에서 우리는 PMMA의 soft-baking 이후 Hardness(H)와 Elastic modulus(Er)의 변화를 압입력을 25 uN에서 8,500 uN으로 134.52 uN 간격으로 증가시키며 측정하였다. 또한 이 실험에서 Hardness(H)와 Elastic modulus(Er)는 Hysitron사의 Triboindenter를 이용하여 측정하였고 압입팁은 Berkovich 팁을 사용하였다. In the modern semiconductor industry, lithography process is used to construct specific patterns. However, due to the decreasing of line width, these days, more and more researchers are interested in PMMA(Poly Methyl Methacrylate) lithography by using e-beam instead of the prior method, PR(Photoresist) lithography by using UV(Ultra-Violet). Additionally, the patterns constructed by lithography are collapsed during the process of cleansing remnants and the resistance against the breakdown of the patterns is known to be proportional to the elastic modulus of pattern-constructing materials. In this research, we measured the change of hardness and elastic modulus of PMMA film surface according to the change of time spent to soft-bake the PMMA film. During the measurement, we controlled the tip pressure from $25{\mu}N$ to $8,500{\mu}N$ having intervals that are $134.52{\mu}N$. For these measurements, we used the Triboindenter from Hysitron to gauge the hardness and elastic modulus and the tip we used was Berkovich diamond Tip.
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Plasma를 이용한 세정액의 활성화와 시료 표면의 탄성계수 및 강도 변화에 대한 연구
김수인,김현우,노성철,윤덕진,장홍준,이종림,이창우,Kim, Soo-In,Kim, Hyun-Woo,Noh, Seong-Cheol,Yoon, Duk-Jin,Chang, Hong-Jun,Lee, Jong-Rim,Lee, Chang-Woo 한국진공학회 2009 Applied Science and Convergence Technology Vol.18 No.2
현대의 반도체 산업에서 공정 중 가장 큰 비중을 차지하며, 가장 많은 자본과 인력을 소비하는 것이 바로 세정 공정이다. 세정공정은 소자의 작동에 영향을 미치고 기능을 저하시킬 수 있는 이물질 입자들을 제거하는 것이다. 특히 소자를 식각하기 위한 Photoresist(PR) 과정이 끝날 때마다 항상 세정 과정이 포함되어야 했다. 또한, Photoresist(PR) 공정 중 생성된 HDI-PR(high dose implanted photoresist)은 세정 과정에서 제거가 힘들기 때문에 현대의 고밀도 집적회로 세정 공정에서는 건식 세정과 습식 세정을 혼용하여 여러 단계의 세정 공정을 거치게 된다. 이 논문에서는 기존 플라즈마 방식으로 대표되는 건식 세정과 약액으로 대표되는 습식 세정을 동시에 사용하는 방식을 사용하여 약액활성화 방법(Plasma Liquid-Vapor Activation; PLVA)을 제안하여 실험을 실시하였고 HDI-PR을 활성화된 용액에 담근 후 Nano-Indenter를 이용하여 표면강도와 탄성계수를 측정했다. Nano-indenter는 특정한 기하학적 형태를 가지는 Tip을 표면에 압입한 후 압입하중과 압입깊이를 측정함으로서 시료의 표면강도와 탄성계수를 측정하였다. 그 결과 plasma로 활성화된 PR stripper 용액으로 strip한 후의 시료의 표면 강도가 크게 줄어든 것을 확인하였다. 이는 이후 물리적 표면 세정 공정을 후 공정으로 사용한다면 보다 효율적인 HDI-PR을 제거할 수 있을 것으로 사료된다. In the modem semiconductor industry, the progress that consumes the most capital and labor is cleansing process. Cleansing process is to remove impurities that can affect the operation of the device and deteriorate its function. Especially, Photoresist (PR) progress that etches the device always requires cleansing at the end of the progress. Also, HDI-PR (High-Dose Ion-implanted Photoresist) created from PR progress is difficult to remove. Thus, in modem IC cleansing, many steps of cleansing are used, including dry and wet cleansing. In this paper, we suggested to combine existing dry-cleansing and wet-cleansing, each represented by plasma cleansing and stripper solution, as Plasma Liquid-Vapor Activation (PLVA). This PLVA method enhances the effect of existing cleansing solution, and decreases the amount of solution and time required to strip. We stripped HDI-PR by activated solution and measured surface hardness and Young's modulus by Nano-indenter. Nano-indenter is the equipment that determines the hardness and the modulus of elasticity by indenting nano-sized tip with specific shape into the surface and measuring weight and z-axis displacement. We measured the change of surface hardness and Young's modulus before and after the cleansing. As a result, we found out that the surface hardness of the sample sharply decreased after the cleansing by plasma-activated PR stripper solution. It can be considered that if physical surface-cleansing process is inserted after this, more effective elimination of HDI-PR is possible.
KCI
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