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텅스텐 실리사이드를 차세대 게이트 전극으로 이용한 MOS 소자의 특성 분석
노관종,윤선필,양성우,노용한,No, Gwan-Jong,Yun, Seon-Pil,Yang, Seong-U,No, Yong-Han 대한전자공학회 2001 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.38 No.7
Si 과다 텅스텐 실리사이드를 초미세 MOS 소자의 대체 게이트 전극으로 제안하였다. SiO₂위에 텅스텐 실리사이드를 직접 증착하고 급속 열처리를 수행한 결과 낮은 저항을 얻고 불소(F) 확산 또한 무시할 수 있음을 확인하였다. 특히, 800 ℃, 진공 분위기에서 3분간 급속 열처리한 텅스텐 실리사이드의 경우 비저항이 ∼160 μΩ·cm이었고, 불소확산에 의한 산화막의 불균일한 성장도 발견할 수 없었다. 또한, WSix-SiO₂-Si (MOS) 캐패시터의 전기적 특성 분석 결과도 우수하였다. We proposed Si-rich tungsten silicide (WSix) films for alternate gate electrode of deep-submicron MOSFETs. The investigation of WSix films deposited directly on SiO$_2$ indicated that the annealing of as-deposited films using a rapid thermal processor (RTP) results in low resitivity, as well as negligible fluorine (F) diffusion. Specifically, the resitivity of RTP-annealed samples at 800 $^{\circ}C$ for 3 minutes in vacuum was ~160 $\mu$$\Omega$ . cm, and the irregular growth of an extra SiO$_2$ layer due to F diffusion during annealing has not been observed. In addition, the analysis of the WSix-SiO$_2$-Si (MOS) capacitors exhibits excellent electrical characteristics.
가족관계 만족과 일중독 : 정서적 몰입의 조절된 매개효과
노관종(Rho Kwanjong),강수돌(Kang Sudol) 한국노동연구원 2020 노동정책연구 Vol.20 No.4
오늘날 기업과 사회 전반의 고용불안정 상황에서 일중독은 예외적 · 일탈적 현상이 아니라 구조적 · 대중적 현상이 되었다. 일중독을 긍정적으로 보는 경우도 있지만, 대다수 학자들은 일중독이 개인, 조직, 사회에 해로운, 행위중독의 일종이라 개념화한다. 이에 본 연구는 비교적 최근에 개발된 WAQ로 한국의 일중독을 측정한 제17차 KLIPS 자료(N=3,941)를 활용, 간소화된 측정지표를 사용, 일중독의 선행 변수에 대한 실증적 검증을 했다. 일중독의 원인에는 개인적 · 가족적 · 조직적 · 사회적 배경이 있으나 본 연구는 특히 가족적 · 조직적 변수에 주목했다. 가족관계 만족과 일중독의 인과성, 그 과정에서 조직몰입(정서적 몰입)의 매개작용, 그 매개작용의 과정에서 고용형태(노동유연화)의 조절작용 등을 통계적으로 검토했다. 분석결과, 1) 가족관계 만족이 높을수록 일중독은 낮아졌고, 2) 정서적 조직몰입은 가족관계 만족과 일중독 간 관계를 ‘부분 매개’했다. 3) 고용형태(노동유연화)는 정서적 몰입과 일중독 간 관계에서 조절 역할을 했다. 4) 통합 모형에서, 정서적 조직몰입은 가족관계 만족과 일중독 간 관계를 매개하되 고용형태에 따라 조절되는, ‘조절된 매개’효과를 나타냈다. 끝으로, 본 연구결과의 이론적․실무적 시사점과 한계점을 논의한다. Although the study of work addiction has increased markedly in the past decades, little research has focused on the relationship between family (dis)satisfaction and work addiction. This study examined this relationship and the mediating role of organizational commitment and the moderating role of employment forms. The research samples were drawn from the 17th KLIPS panel data in Korea. The statistical analysis using the PROCESS macro by Hayes (2013) found support for four hypotheses: First, the negative causality between family relationship satisfaction and work addiction is supported. Second, the mediating role of affective organizational commitment between the two variables is also confirmed. Third, the employment form plays a moderating role between affective organizational commitment and work addiction. Finally, the moderated mediating role of affective organizational commitment between family relationship satisfaction and work addiction is supported. Practical as well as theoretical implications from the empirical analyses are discussed.
노관종(Kwan-Jong Noh),김지영(Ji-Young Kim),강은철(Eun-Chul Kang),박희문(Hye-Moon Park),이의준(Euy-Joon Lee) 한국지열·수열에너지학회 2007 한국지열에너지학회논문집 Vol.3 No.1
A steady-state simulation model for Dual-Source Heat Pump(DSHP) of 8RT was presented. A Dual-Source Heat Pump(DSHP) has been designed to make up for the conventional air source heat pumps. The performance evaluation has been conducted under internal standard test conditions such as ISO-13256-1 and KS C 9300. However, as test conditions such as entering water, indoor and outdoor air conditions could not be controlled to satisfy the standard test conditions in outdoor tests, a series of experiments have been conducted with the actual test conditions. Then, computer models for DSHP could be used for the standard condition have developed using EES program. The model was developed from basic thermodynamic principles and heat transfer relations. Most of the parameters were obtained with EES from the actual catalog data. The simulation results were in good agreement with the experiments.
LPCVD로 증착한 텅스텐 박막의 증착 조건 제어에 의한 접착성 및 저항 특성 향상
노관종(Kwanchong Roh),윤선필(Sunpil Youn),윤영수(Youngsu Youn),노용한(Yonghan Roh) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.4
LPCVD 방식에 의해 산화막과의 접착성이 양호하고 ~10μΩㆍ㎝의 낮은 비저항을 갖는 텅스텐 박막을 성장시킬 수 있었다. 텅스텐의 산화막에 대한 접착성은 기판온도가 높을수록, SiH₄/WF_6 비율이 증가할수록 우수하였다. 특히, 가스 비율이 2인 경우 350℃에서도 텅스텐의 성장이 가능하였으며, β-W의 성장으로 비저항이 높았으나 H₂ carrier 가스를 증가시켜 최소화시킬 수 있었다. 따라서, 텅스텐의 산화막에 대한 접착성 향상을 위해 복잡한 증착 공정이나 부가적인 공정을 사용하지 않고 단순히 증착온도, 가스 비율, carrier 가스 조건을 조절함에 의해 해결될 수 있음을 확인하였다. Tungsten(W) thin films with good adhesion property and low resistivity (~10μΩㆍ㎝) were deposited directly on SiO₂ by LPCVD. The adhesion property of W thin films on SiO₂ improves as the temperature and/or SiH₄/WF_6 gas ratio increase. Specifically tungsten thin films could be deposited on SiO₂ even at 350℃ if the gas ratio of 2 was employed. The resistivity of tungsten thin films deposited at 350℃ was high due to the presence of β-W. However, the resistivity can be minimized by increasing the amount of H₂ gas flow. Therefore, it is shown in this work that the adhesion of tungsten thin films on SiO₂ can be improved simply by controlling the process parameters (e.g., temperature, gas ratio and H₂ flow rate) without employing complex deposition methods or additional glue layers.