인공수정(人工授精)에 관한 법적(法的) 고찰(考察)

김천수,Kim, Cheon-Su 대한의료법학회 2001 의료법학 Vol.2 No.2

사고(事故)의 경합(競合)과 진료과오책임(診療過誤責任) - 의료사고와 기타사고의 경합으로 인한 손해의 귀속을 중심으로 -

김천수,Kim, Cheon-Su 대한의료법학회 2004 의료법학 Vol.5 No.2

의료법학(醫療法學)의 최근(最近) 주요쟁점(主要爭點)

김천수,Kim, Cheon-Su 대한의료법학회 2004 의료법학 Vol.5 No.1

투약(投藥)에 관한 약사(藥師)의 법적(法的) 지위(地位) - 약사(藥師)의 설명의무(說明義務)와 복약지도의무(服藥指導義務) 그리고 그 위반(違反)으로 인한 민사책임(民事責任)을 중심으로 -

김천수,Kim, Cheon-Su 대한의료법학회 2003 의료법학 Vol.4 No.2

전자선 직접묘사에 의한 Deep Submicron $p^+$Poly pMOSFET 제작 및 특성

김천수,이진호,윤창주,최상수,김대용,Kim, Cheon-Su,Lee, Jin-Ho,Yun, Chang-Ju,Choi, Sang-Soo,Kim, Dae-Yong 한국전자통신연구원 1992 전자통신 Vol.14 No.1

$0.25{\mu} m$ 급 pMOSFET소자를 구현하기 위해, $P^+$ 폴리실리콘을 적용한 pMOS를 제작하였으며, $p^+$ 폴리실리콘 게이트 소자에서 심각하게 문제가 되고 있는 붕소이온 침투현상을 조사하고 붕소이온 침투가 일어나지 않는 최적열처리온도를 조사하였다. 소자제조 공정중 게이트 공정만 전자선 (EBML300)을 이용하여 직접묘사하고 그 이외의 공정은 stepper(gline) 을 사용하는 Mix & Match 방법을 사용하였다. 또한 붕소이온 침투현상을 억제하기 위한 한가지 예로서, 실리콘산화막과 실리콘질화막을 적층한 ONO(Oxide/Nitride/Oxide) 구조를 게이트 유전체로 적용한 소자를 제작하여 그 가능성을 조사하였다. 그 결과 $850^{\circ}C$의 온도와 $N_2$ 분위기에서 30분동안 열처리 하였을 경우, 붕소이온의 침투현상이 일어나지 않음을 SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometer) 분석 및 C-V(Capacitance-Voltage) 측정으로 확인할 수 있었으며 그 이상의 온도에서는 붕소이온이 침투되어 flat band전압(Vfb)을 변화시킴을 알았다. 6nm의 얇은 게이트 산화막 및 $0.1{\mu} m$ 이하의 LDD(Lightly Doped Drain) $p^-$의 얇은 접합을 형성함으로써 소자의 채널길이가 $0.2 {\mu} m$까지 짧은 채널효과가 거의 없는 소자제작이 가능하였으며, 전류구동능력은 $0.26\muA$/$\mu$m(L=0.2$\mu$m, V$_DS$=2.5V)이었고, subthreshold 기울기는 89-85mV/dec.를 얻었다. 붕소이온의 침투현상을 억제하기 위한 한가지 방법으로 ONO 유전체를 소자에 적용한 결과, $900^{\circ}C$에서 30분의 열처리조건에서도 붕소이온 침투현상이 일어나지 않음으로 미루어 , $SiO_2$ 게이트 유전체보다 ONO 게이트 유전체가 boron 침투에 대해서 좋은 장벽 역활을 함을 알았다. ONO 게이트 유전체를 적용한 소자의 경우, subthreshold특성은 84mV/dec로서 좋은 turn on,off 특성을 얻었으나, ONO 게이트 유전체는 막자체의 누설전류와 실리콘과 유전체 계면의 고정전하량인 Qss의 양이 공정조건에 따라 변화가 심해서 문턱전압 조절이 어려워 소자적용시 문제가 된다. 최근 바닥 산화막(bottom oxide) 두께가 최적화된 ONO 게이트 유전체에 대하 연구가 활발히 진행됨을 미루어, 바닥 산화막 최적화가 된다면 더 좋은 결과가 예상된다.

최신판례분석 : 사해행위 수익자의 시효취득 - 대법원 2016. 11. 25. 선고 2013다206313 판결 -

김천수1 ( Cheonsoo Kim ) 법조협회 2017 法曹 Vol.66 No.4

사해행위취소의 판결이 확정되었지만 채권자가 원상회복을 10년 이상 방치하여 수익자가 등기부 시효취득의 완성을 이유로 채권자의 압류등기말소를 청구하게 되었다. 취득시효가 완성되었는지의 여부에 대하여, 제1심 법원은 완성을 부정하여 청구를 기각하였고 제2심 법원은 완성을 긍정하여 제1심 판결을 취소하였으며 대법원은 완성을 부정하여 원심을 파기 환송하였다. 자기 소유 부동산에 대한 등기부취득시효는 인정될 수 없으며, 사해행위로 일탈된 재산은 사해행위의 취소로 채무자의 책임재산이 될 뿐이고 그 소유권은 여전히 수익자에게 있다는 것이다. 시효취득을 인정할 수 없으므로 압류등기말소청구는 기각되어야 한다는 것이다. 필자는 대법원과 결론은 같이하지만 논리를 달리하는 입장이다. 즉 채권자 관계에서 수익자는 일탈재산의 소유자가 아니므로 다른 요건의 구비로 그의 시효취득은 인정될 수 있다. 하지만, 시효취득을 승계취득이라고 본다면, 수익자는 채권자에 의한 강제집행의 부담을 가진 소유권을 취득한 것이다. 따라서 그러한 수익자가 강제집행을 전제로 하는 압류 등기의 말소를 구하는 것은 신의칙상 허용될 수 없다고 하겠다. 사해행위 취소의 효과는 취소채권자가 수익자에게 원상회복의 채권적 청구권만 가진다는 채권설의 관점을 반영하여 수익자가 자기 소유 부동산을 시효취득할 수 없다는 입장에서 수익자의 청구를 기각한 대상판결과 논리는 다르나 결론은 같이한 것이 필자의 결론이다. Despite the conclusion of judgment that the fraudulent act be cancelled, the creditor left the restoration of the devalued property for more than 10 years, and the beneficiary demanded the cancellation of the seizure of the creditor due to the completion of the acquisitive prescription by registration. Whether or not the acquisitive prescription by registration has been completed is the main issue of this present precedent. The Court of First Instance rejected the request of plaintiff by denying the completion, and the Court of Second Instance affirmed the completion and canceled the first judgment, and the Supreme Court denied the completion, reversed the judgement by the Court of Second Instance and remanded it to the court. The owner of the property can not acquire the ownership by the prescription, and the property deviating from the debtor by his or her fraudulent act can be executed by the creditor with the cancellation of the fraudulent act, and the ownership of the property still belongs to the beneficiary. The claim to cancel the registration of seizure must be rejected because the plaintiff can not claim the completion of the acquisition prescription. This present writer agrees with the Supreme Court, but his logic is different. In other words, in relation to the creditor, the beneficiary is not the owner of the deviating property, so his prescription is granted. However, if the prescription acquisition is regarded as a succession acquisition, the beneficiary just acquires ownership that is burdened with forced enforcement. Therefore, it is not permissible under the principle of good faith for such beneficiary to ask for the cancellation of seizure registration under the premise of such enforcement. The conclusion by his present writer is that the logic is different from, but the conclusion is the same as this present precedent rejecting the claim from the beneficiary from the standpoint of the obligatory effect theory that the effect of cancellation of the fraudulent act is just that the creditor claiming the cancellation retains the claim from the beneficiary so that he or she may not acquire the ownership of his or her premise by prescription.

8mm Camcorder 개발 동향

김천수,Kim, Cheon-Su 한국전자정보통신산업진흥회 1990 電子振興 Vol.10 No.7

Trenched-Sinker LDMOSFET (TS-LDMOS) Structure for 2 GHz Power Amplifiers

김천수,박문양,유현규,Sung Do Kim 한국전자통신연구원 2003 ETRI Journal Vol.25 No.3

This paper proposes a new LDMOSFET structure with a trenched sinker for high-power RF amplifiers. Using a low-temperature, deep-trench technology, we succeeded in drastically shrinking the sinker area to one-third the size of the conventional diffusion-type structure. The RF performance of the proposed device with a channel width of 5 mm showed a small signal gain of 16.5 dB and a maximum peak power of 32 dBm with a power-added efficiency of 25% at 2 GHz. Furthermore, the trench sinker, which was applied to the guard ring to suppress coupling between inductors, showed an excellent blocking performance below –40 dB at a frequency of up to 20 GHz. These results confirm that the proposed trenched sinker should be an effective technology both as a compact sinker for RF power devices and as a guard ring against coupling.

The TDDB Characteristics of Thin $SiO_2$ with Stress Voltage Polarity

김천수,이경수,남기수,이진효,Kim, Cheon-Soo,Yi, Kyoung-Soo,Nam, Kee-Soo,Lee, Jin-Hyo 대한전자공학회 1989 전자공학회논문지 Vol. No.

얇은 산화막의 신뢰성을 정전류 스트레스 방법으로 조사하였다. 실험에 사용된 소자는 산화막 두께가 20~25nm인 다결정실리콘 MOS 커패시터 이었다. VLSI 신뢰성 평가에 필수적인 자동측정 및 통계적 데이타분석을 HP9000 컴퓨터를 이용하여 수행하였다.측정한 TDDB 결과로부터 산화막의 결합밀도, 절연파괴 전하량(Qbd), 수명등을 측정한 결과 스트레스를 가하는 극성에 따라서 다른 특성이 나타났다. 결함밀도는 (-) 게이트 주입의 경우에 62개$cm^2$ 이었다. 절연파괴 전하량은 (+) 게이트 주입의 경우 30C/$cm^2$이었고, (-)게이트 주입의 경우가 1.43$cm^2$/A 이었고, (+)게이트 주입의 경우가 1.25$cm^2$/A이었다. The reliability of the thin thermal oxide was investigated by using constant current stress method. Polysilicon gate MOS capacitors with oxide thickness range of 20-25nm were used in this experiment. Automatic measurement and statistical data analysis which were essential in reliability evaluation of VLSI process preformed by HP 9000 computer. Based on TDDB results, defect density, breakdown charge (Qbd) and lifetime of oxide film were evaluated. According to the polarity of the stress, some different characteristics were shown. Defect density was 62/$cm^2$ at negative gate injection. The value of Qbd was about 30C/$cm^2$ at positive gate injection, and about 21C/$cm^2$ at negative. The current density acceleration factor was 1.43$cm^2$/A for negative gate injection, and 1.25$cm^2$/A for positive gate injection.

건축음향모형실험의 상사법칙의 이론에 관한 연구

김천수,신영무,박병전,Kim, Cheon-Su,Sin, Yeong-Mu,Park, Byeong-Jeon 한국음향학회 1994 韓國音響學會誌 Vol.13 No.1

본 논문은 모형실험법에 관한 것으로 실내음향과 차음에 있어서 건축음향분야의 모형실험의 의의와 동향 및 음향모형실험에서 실내음향의 물리적인 대응관계인 가장 기본적인 상사칙과 차음의 상사칙에 관하여 이론적으로 고찰하였다. This study aims to find the theoretical consideration of the basic simularity rule between scale model experiment and real building as a results ; 1. In the case of room acoustics, $f_m=n\cdot{f_r}\;T_m=T_r/n\; \alpha_m(f_m)=\alpha_r(f_r)$ 2. That of sound Insulation : $TL_m(f_m)=TL_r(f_r)$