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Bonded SOI wafer의 top Si과 buried oxide layer의 결함에 대한 연구
김석구,백운규,박재근,Kim Suk-Goo,Paik Un-gyu,Park Jea-Gun 한국재료학회 2004 한국재료학회지 Vol.14 No.6
Recently, Silicon On Insulator (SOI) devices emerged to achieve better device characteristics such as higher operation speed, lower power consumption and latch-up immunity. Nevertheless, there are many detrimental defects in SOI wafers such as hydrofluoric-acid (HF)-defects, pinhole, islands, threading dislocations (TD), pyramid stacking faults (PSF), and surface roughness originating from quality of buried oxide film layer. Although the number of defects in SOI wafers has been greatly reduced over the past decade, the turn over of high-speed microprocessors using SOI wafers has been delayed because of unknown defects in SOI wafers. A new characterization method is proposed to investigate the crystalline quality, the buried oxide integrity and some electrical parameters of bonded SOI wafers. In this study, major surface defects in bonded SOI are reviewed using HF dipping, Secco etching, Cu-decoration followed by focused ion beam (FIB) and transmission electron microscope (TEM).
김석구,Kim, Seok-Gu 한국건축구조기술사회 2001 건축구조 Vol.8 No.3
최근 20년 이상된 중층아파트 재건축이 규제강화와 용적율 하향조정 등으로 사업이 어렵게 되자 리모델링에 대한 관심이 높아지고 있다. 이 글에서는 지난 5월 7박 8일간으로 다녀온 일본 도쿄와 싱가폴의 아파트 리모델링 공사현장 사례를 소개하고 우리의 현황을 잠시 살펴보고자 한다