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권경화(Kyung-Hwa Kwon) 한국정보과학회 2004 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.31 No.2Ⅱ
정보통신 기술의 발달로 자치단체에서 개별적으로 운영되던 업무별 단위시스템을 단일화 또는 연계하여 자료를 공동 활용하려는 노력이 계속되고 있다. 하지만 타 시스템의 자료를 실시간으로 검색함에 있어 빠른 응답시간이 요구되며, 검색건수 증가에 따른 수행지연으로 인한 문제가 되고 있다. 따라서 본 논문에서는 감색 대상 자료를 본 시스템의 메모리에 상주시켜 연계자료에 대한 검색속도를 높이고 수행지연에 의한 병목현상을 해결할 수 있는 방안을 제시하였다.
2단계 MOCVD법에 의해 사파이어 기판 위 성장된 undoped GaN 에피박막의 특성에 미치는 고온성장 온도변화의 영향
장경화,권명석,조성일,Chang K.,Kwon M. S.,Cho S. I. 한국진공학회 2005 Applied Science and Convergence Technology Vol.14 No.4
2단계 성장법으로 c-plane 사파이어 단결정 기판 위에 metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD)법으로 undoped GaN 에피층을 성장시켰다. 고온 성장시 성장 온도 변화가 undoped GaN 에피층의 표면형상과 거칠기, 구조적 결정성, 광학적 성질, 전기적 성질에 미치는 영향을 연구하였다. 수평형 MOCVD 장치를 이용해 압력 300 Torr 저압에서 성장시켰으며, 저온 핵생성층 성장조건은 $500^{\circ}C$로 고정시키고, 2단계 성장 온도를 $850\~1050^{\circ}C$범위로 변화시켰다. 형성된 undoped GaN 에피층을 원자력현미경, 고분해능 X-선회절장치, 광발광측정, 홀 효과 측정 장치 등을 이용하여 분석, 고찰하였다. Undoped GaN epitaxial layer was grown on c-plane sapphire substrate by a two-step growth with metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD). We have investigated the effects of the variation of final growth temperature on surface morphology, roughness, crystal quality, optical property, and electrical property In a horizontal MOCVD reactor, the film was grown at 300 Tow low-pressure with a fixed nucleation temperature of $500^{\circ}C$, varing the final growth temperature from $850\~1050^{\circ}C$ . The undoped GaN epilayers were characterized by atomic force microscopy, high-resolution x-ray diffractometer, photoluminescence, and Hall effect measurement.
라상호(Ra, Sang-Ho),권경화(Kwon, Kyoung-Hwa),허제우(Heo, Jea-Woo),황규남(Hwang, Kyu-Nam) 한국연안방재학회 2015 한국연안방재학회 학술발표대회 논문집 Vol.2015 No.-
본 연구에서는 가로림만 내의 표층 점착성 퇴적물의 침식특성이 정량적으로 산정되었다. 또한 물리·화학적 특성 및 수체의 특성이 정량적으로 조사된 후, 이러한 특성들과 침식매개변수들간의 정성적 상관관계 해석을 통하여, 가로림만 점착성 퇴적물의 침식특성 산정 결과의 타당성이 간접적으로 검토되었다.