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저항가열 방식에 의한 SiC 단결정 성장 조건에 관한 연구
강승민,Kang, Seung-Min 한국결정성장학회 2016 한국결정성장학회지 Vol.26 No.2
저항가열 방식으로 제작된 설비를 이용하여 SiC 단결정을 성장하였다. 성장 조건에 따라 결정의 성장 양상이 달랐으며, 원료부의 온도와 결정 성장부의 온도에 따라 각각 온도 설정이 필요함을 알았다. 본 논문에서는 SiC 결정의 성장 온도에 따른 성장 결과에 대하여 고찰해 보았으며, 이에 대한 결과를 보고하고자 한다. 6H-SiC single crystals were grown by using a resistance heating system. It was recognized that the growth behavior was different according to the different growth temperatures. It was revealed that the temperatures at the source feeding and at the crystal growth position had to be controlled independently. In this report, the effect of growth temperature on the SiC crystal growth was discussed.
VCO 표류 성분 상쇄기와 빗쌀 하모닉 발생기를 이용한 주파수 대역 확장기의 구현
강승민 한국통신학회 1999 韓國通信學會論文誌 Vol.24 No.9
VCO의 표류성분 제거기와 빗쌀 하모닉 발생기를 이용하여 주파수를 상향 변환하면서 동시에 주파수 대역폭을 확장하는 시스템을 구현하였다. 출력 주파수 범위가 220∼280MHz, 분해능이 5MHz인 저주파수 합성기의 출력을 1660∼2140MHz의 광대역 주파수로 확장한다. 최종출력의 위상 잡음 상태는 저주파수 합성기와 빗쌀 하모닉 발생기에 의해 결정되며 VCO의 표류성분은 최종 출력에 나타나지 않는다. 필터 뱅커처럼 VCO의 조절로 주파수가 60MHz의 단위로 가변되는데 이때의 가변시간은 3usec이하이며, 스퓨리어스는 -55dBc이하이다. VCO의 출력 주파수 범위를 확장하면 쉽게 출력 대역폭을 추가로 확장할 수 있으며, 빠른 스위칭 시간을 요구하는 광대역 초고주파 합성기에 응용될 수 있다. We have implemented Frequency bandwidth expander with frequency upconverting by VCO drift canceller and comb generator. Te output of the low frequency synthesizer which the output frequency is 220~280MHz(Resolution : 5MHz) is expanded to 1660~2140MHz by this system. The phase noise of this system only depends on the phase noise of comb generator and low frequency synthesizer. The phase noise of VCO don’t influence at the frequency expander because the drift of VCO cancel out. When we control the output of VCO, the output frequency of this system is varied by 60MHz x N as filter banker. The switching time and the spurious of the frequency expander is below 3usec, -55dBc respectively. This system easily expands bandwidth additively by expanding the output bandwidth of the VCO. We can apply the frequency expander to very wide band microwave synthesizer which has fast switching time.
RF 스퍼터링 법에 의한 사파이어 기판상의 ZnO 박막의 성장
강승민,Kang Seung Min 한국결정성장학회 2004 한국결정성장학회지 Vol.14 No.5
ZnO 에피박막을 사파이어 기판의 (0001)면 상에 RF magnetron sputtering 법으로 성장하였다. 박막의 성장속도는 약 0.1~0.2$\mu\textrm{m}$/hr 였으며, 기판온도가 $600^{\circ}C$일 때, 약 400~500nm두께의 단결정상의 박막을 성장할 수 있었다. 성장된 단결정상 박막에 대하여 XRD분석과 TEM을 이용하여 박막의 품질과 미세구조를 평가하였다. ZnO epitaxial films have been grown on a (0001)sapphire substrate by RF magnetron sputtering. The single crystalline ZnO films were grown at the condition of growth rate of about 0.1~0.2 $\mu\textrm{m}$/hr and the substrate temperature of $600^{\circ}C$. The film thickness was about 400~500 nm. The thin film quality and micro-structure have been evaluated by XRD and TEM observation.
소다석회유리에서 Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>가 isokom 온도에 미치는 영향
강승민,김창삼,Kang, Seung Min,Kim, Chang-sam 한국결정성장학회 2022 한국결정성장학회지 Vol.32 No.3
The effect of Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> on isokom temperatures in soda-lime glass is estimated by comparing calculated isokom temperatures using viscosity model proposed by Lakatos. Substitution of SiO<sub>2</sub> with Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> by 0.5 mol% raises the isokom temperatures by 3.1, 3.3, 3.6 and 7.2℃ at the viscosity of log η = 12.3, 10, 6.6 and 1 (Pa·s), respectively. Meanwhile, replacing 0.5 mol% of CaO with Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> raises the isokom temperatures by 1.6, 2.3, 4.1 and 17.7℃ at the viscosity of log η = 12.3, 10, 6.6 and 1 (Pa·s), respectively.