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CO2가스를 이용하여 증착된 터널층의 계면포획밀도의 감소와이를 적용한 저전력비휘발성 메모리 특성
이준신,이소진,장경수,Cam Phu Thi Nguyen,김태용 한국전기전자재료학회 2016 전기전자재료학회논문지 Vol.29 No.7
The silicon dioxide (SiO2) was deposited using various gas as oxygen and nitrous oxide (N2O) in nowadays. In order to improve electrical characteristics and the interface state density (Dit) in low temperature, It was deposited with carbon dioxide (CO2) and silane (SiH4) gas by inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD). Each Dit of SiO2 using CO2 and N2O gas was 1.30×1010 cm-2·eV-1 and 3.31×1010 cm-2·eV-1. It showed SiO2 using CO2 gas was about 2.55 times better than N2O gas. After 10 years when the thin film was applied to metal/insulator/semiconductor(MIS)-nonvolatile memory(NVM), MIS NVM using SiO2(CO2) on tunneling layer had window memory of 2.16 V with 60% retention at bias voltage from +16 V to -19 V. However, MIS NVM applied SiO2(N2O) to tunneling layer had 2.48 V with 61% retention at bias voltage from +20 V to -24 V. The results show SiO2 using CO2 decrease the Dit and it improves the operating voltage. 실리콘다이옥사이드(silicon dioxide, SiO2)는 산소 또는 N2O가스 같은 다양한 산화성 가스로 증착되었다. 본 실험에서는 저온에서 증착되는 SiO2의 전기적 특성 및 계면포획밀도(interface state density, Dit)를 향상시키기 위해 SiH4과 CO2가스를 사용하여 유도결합플라즈마 화학기상증착(inductively coupled plasma chemical vapor deposition, ICP-VCD)로 SiO2를 증착하였다. CO2와 N2O가스를 이용한 SiO2 박막의 Dit는 각각 1.30 × 1,010 cm-2·eV-1, 3.31 × 1,010 cm-2·eV-1를 보였다. 이는 CO2가스를 사용한 SiO2박막의 Dit가 N2O가스를 이용한 것에 비해 2.55배 낮음을 나타낸다. SiO2(CO2)박막을 터널층을 사용한 금속/절연체/반도체(MIS) 구조의 비휘발성메모리(nonvolatile memory, NVM)는 +16/-19 V의 스트레스전압에서 2.16 V의 윈도우 메모리를 보였지만 SiO2(N2O)박막을 터널층으로 사용한 MIS 구조의 소자는 +20/-24 V의 높은 인가전압에서 2.48 V의 윈도우 메모리를 보였다. 그러므로 SiO2(CO2)박막을 NVM의 터널층으로 사용하면 Dit를 감소시켜 저전압메모리를 구현할 수 있다.
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이준신,최영희 한국뷰티경영학회 2014 한국뷰티경영학회지 Vol.2 No.2
The purpose of this study was to present positive data through analyzing the job stress and job satisfaction of the beauty shop employees based upon their various characters and to present the effects of job stress on job satisfaction. Conclusions are as follows. First, measure the level of job stress and job satisfaction of the beauty shop employees. Second, as a result of analyzing the relationship between job stress factors and job satisfaction, turned out to have interactive and proportional relationship.
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Brief Review of Silicon Solar Cells
이준신,Yi, Jun-Sin The Korean Vacuum Society 2007 Applied Science and Convergence Technology Vol.16 No.3
태양광발전이란 태양에너지를 직접 전기 에너지로 변환시키는 것이다. 지난 5년 동안 태양광발전은 세계적으로 높은 성장률을 보여 왔다. 특히 2006년에는 30%, 이상의 성장을 가져왔으며 앞으로 20년 동안 평균 생산 성장률은 매년 27%-34%가 될 것으로 예상하고 있다. 현재까지는 태양광발전을 이용해 생산된 전력의 가격은 기존 전력발전의 가격보다 높지만 태양광 기술의 발전과 효율의 향상으로 점점 그 가격이 떨어지고 있다. 뿐만 아니라 태양전지용의 실리콘 기판의 대량생산은 점점 더 태양전지의 가격 저하를 가져오고 있다. 태양전지의 변화효율의 한계는 30%이다. 현재에는 결정질 실리콘 태양전지가 주를 이루고 있지만 미래에는 박막 실리콘 태양전지가 주도를 이룰 것이다. 2030년에는 박막 태양전지가 90%이상을 이루고 결정질 태양전지는 10% 이하로 떨어질 것을 예상하고 있다. 성균관대학교에서는 결정질 실리콘 태양전지의 저가화와 고효율화를 주 연구로 수행하고 있다. 현재 성균관대학교에서는 스크린 프린트를 이용해서 16% 이상의 다결정 실리콘 태양전지와 17% 이상의 단결정 실리콘 태양전지를 성공적으로 제작하였다. 제 1세대에서 다음 세대의 태양전지 발전의 과정은 새로운 접근법으로 확대되지만 여전히 실리콘이 지금까지 주된 재료로 쓰이고 있다. 2010년까지 이러한 기술들에 대한 격차는 여전히 있지만 태양광발전을 통한 전력생산의 가격은 60 cent/watt 정도로 예상하고 있다. 태양광발전은 청정에너지로서 재생불가능 하고 고갈되어가고 환경오염을 일으키는 다른 에너지와 비교하여 점점 대체에너지로서의 자리를 확립해 가고 있다. Photovoltaic (PV) technology permits the transformation of solar light directly into electricity. For the last five years, the photovoltaic sector has experienced one of the highest growth rates worldwide (over 30% in 2006) and for the next 20 years, the average production growth rate is estimated to be between 27% and 34% annually. Currently the cost of electricity produced using photovoltaic technology is above that for traditional energy sources, but this is expected to fall with technological progress and more efficient production processes. A large scale production of solar grade silicon material of high purity could supply the world demand at a reasonably lower cost. A shift from crystalline silicon to thin film is expected in the future. The technical limit for the conversion efficiency is about 30%. It is assumed that in 2030 thin films will have a major market share (90%) and the share of crystalline cells will have decreased to 10%. Our research at Sungkyunkwan University of South Korea is confined to crystalline silicon solar cell technology. We aim to develop a technology for low cost production of high efficiency silicon solar cell. We have successfully fabricated silicon solar cells of efficiency more than 16% starting with multicrystalline wafers and that of efficiency more than 17% on single crystalline wafers with screen printing metallization. The process of transformation from the first generation to second generation solar cell should be geared up with the entry of new approaches but still silicon seems to remain as the major material for solar cells for many years to come. Local barriers to the implementation of this technology may also keep continuing up to year 2010 and by that time the cost of the solar cell generated power is expected to be 60 cent per watt. Photovoltaic source could establish itself as a clean and sustainable energy alternate to the ever depleting and polluting non-renewable energy resource.
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이준신 한국음향학회 2002 韓國音響學會誌 Vol.21 No.5
입력단 및 출력단이 동심을 이루어 원형 확장관 안으로 연장되어 있는 소음기가 관내 전달 소음저감을 위해 널리 사용되고 있다. 이 소음기의 저주파수 영역에서의 소음저감 효과는 음파 진행 단면의 확장-축소와 입력단 및 출력단의 상대적 위치 등으로 발생되는 소음기의 리액티브 성분에 의해 설명이 된다. 본 논문에서는 입력단 및 출력단에 동심으로 배치된 연장관이 단순 팽창형 소음기 내부에 삽입되어 있는 경우에 대한 음향해석을 수행하였다. 해석방법으로는 음장을 분리좌표계로 표현될 수 있는 몇개의 경계 표면으로 나누고, 각 표면에서의 음압 및 입자속도를 정규화 된 음향 고유 모드로 전개하여 간단한 대수식으로 표현하였다. 이 해석적인 방법을 사용하여 소음기의 투과손실을 예측하였으며, 실험과도 잘 일치함을 관찰할 수 있었다. Cylindrical chamber silencers with an extended inlet and outlet are extensively used in many application fields to reduce the propagated noise in ducts. The basic attenuation effectiveness in the low frequency region can be explained by the reactive wave action inside the expansion chamber associated with the geometric configurations of the inlet and outlet locations, and the area expansion of the jacket. In this study. an acoustic analysis is carried out for a concentric extended pipe inserted into a simple expansion chamber. An algebraic equation is derived by using the eigenfunction expansion and orthogonality principle in which the acoustic pressures and particle velocities defined on each subdivided surface are expressed by the separable coordinates. By using the proposed analytical method, transmission losses are predicted for several configurations of the concentric extended systems and they agree very well with experimental results.
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