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심현상,구본철,정연실,배규식,Shim, Hyun-Sang,Koo, Bon-Cheol,Joung, Yeon-Sil,Bae, Kyoo-Sik 한국재료학회 1998 한국재료학회지 Vol.8 No.6
코발트 폴리사이드 게이트 전극을 형성할 때, 원주형(columnar)과 입자형(granular)다결정 Si 및 비정질 Si 기판위에 Co 단일막(Co monolayer)또는 Co/Ti 이중막(Co/Ti bilayer)을 사용하여 형성한 $CoSi_{2}$의 열정안정을 비교하여 기판의 결정성과 CoSi/ sub 2/ 형성방법이 열적안정성에 미치는 영향을 연구하였다.$ 900^{\circ}C$에서 600초까지 급속열처리하였을 때 , 기판을 비정질을 사용하거나 기판에 관계없이 Co/Ti 이중막을 사용하면 열적안정성이 향상되었다, 이는 평탄하고 깨끗한 기판 Si표면과 지연된 Co확산으로 인해,조성이 균일하고 계면이 평탄한 CoSi$_{2}$가 형성되었기 때문이다. $ CoSi_{2}$의 열적안정성에 가장 중요한 인자는 열처리 초기 처음 형성된 실리사이드의 조성 균일성과 기판과의 계면 평탄성이었다. For the formation of cobalt polycide gate electrode, CoSi, was grown on columnar poly-Si, granular poly-Si or amorphous Si by depositing either Co monolayer or Co/Ti bilayer and its thermal stability was compared to study effects of the substrate crystallinity and the silicide formation method. When specimens were rapidly heat-treated at 90$0^{\circ}C$ up to 600 seconds, using amorphous Si or Co/Ti on all substrates improved the thermal stability. This was attributed to the uniform chemical composition of initial CoSi, and its smooth interface with the substrates, induced by smooth and clean Si surface and delayed Co diffusion. The main factors determining the thermal stability were found to be composition uniformity and smooth interface of $CoSi_2$, intially formed at the early stage of the heat-treatment.
$CoSi_{2}$ 에피박막을 확산원으로 이용하여 형성한 매우 얇은 접합의 전기적 특성
구본철,심현상,정연실,배규식,Koo, Bon-Cheol,Shim, Hyun-Sang,Jung, Yun-Sil,Bae, Kyoo-Sik 한국재료학회 1998 한국재료학회지 Vol.8 No.5
Co/Ti 이중막을 급속열처리하여 형성한 $CoSi_{2}$에 $As^+$을 이온주입한 후, 500~$1000^{\circ}C$에서 drive-in 열처리하여 매우얇은 $n_{+}$ p접합의 다이오드를 제작하고 I-V 특성을 측정하였다. $500^{\circ}C$에서 280초 drive-in 열처리하였을 때, 50nm정도의 매우 얇은접합이 형성되었고, 누설전류가 매우 낮아 가장 우수한 다이오드 특성을 나타내었다. 특히, Co 단일막을 사용한 다이오드에 비해 누설전류는 2order 이상 낮았으며, 이는 $CoSi_{2}$Si의 계면이 균일하였기 때문이다. $As^+$ was ion-implanted onto $CoSi_{2}$ thin films formed by rapidly thermal-annealed Co/Ti bilayers. Then the specimens were drive-in annealed at 500~100$0^{\circ}C$ to form ultra-shallow $n^+$p junction diodes and to measure their 1- V characteristics. When drive-in annealed at 50$0^{\circ}C$ for 280 sec., 50 nm thick ultra-shallow junctions were formed and di¬odes showed the best 1- V characteristics with low leakage current. In particular. the leakage current was 2 orders lower than that of diodes formed by using Co monolayer. It was attributed to uniform $CoSi_{2}$/Si interfaces.