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Preparation of Non-flammable Wiper Paper by Simple H<sub>3</sub>PO<sub>3</sub> Treatment
이홍찬,이시춘,Lee, Hong Chan,Lee, Shichoon Convergence Society for SMB 2020 융합정보논문지 Vol.10 No.6
매우 얇고 다공성 비인화성 와이퍼 용지를 아인산 수용액 처리에 의해 준비되었다. H<sub>3</sub>PO<sub>3</sub> 처리는 와이퍼 용지의 난연성을 불연성 수준으로 개선시켰다. 열중량 분석 결과 700℃에서 잔량이 50%까지 증가했다. 이것은 본 실험과 같은 아인산 처리가 셀룰로오스 사슬의 탈수를 돕고, 연소중에 차르(char)와 유사한 구조의 형성을 촉진한다는 것을 의미한다. FT-IR과 X선 광전자 분광학에서는 H<sub>3</sub>PO<sub>3</sub>의 일부분은 셀룰로오스 사슬의 작용기와 반응하는 것으로 보였다. 반응한 아인산은 셀룰로오스의 체인의 탈수를 촉진하고, 차르와 같은 구조의 형성을 도와 와이퍼 용지의 난연성을 향상시킨다. A thin and porous non-flammable wiper was prepared by phosphorus acid solution treatment and subsequent oven annealing. The H<sub>3</sub>PO<sub>3</sub> treatment improved flame retardancy of wiper paper to nonflammable level. Thermogravimetric analyses showed that residues increased to 50% at 700℃, which means this treatment helps dehydration of the cellulose chain and promotes the formation of char-like structures during the burning. FT-IR and X-ray photoelectron spectroscopy showed that some of the added H<sub>3</sub>PO<sub>3</sub> could react with the functional groups of the cellulose chain. The reacted H<sub>3</sub>PO<sub>3</sub> components promote dehydration of the cellulose components and the formation of a char-like structure and improve the flame retardancy of the wiper paper.
n-ZnSSe/p-GaAs 이종접합 태양전지에 관한 연구
이홍찬 한국물리학회 2003 새물리 Vol.47 No.6
A n-ZnSSe/p-GaAs heterostructures prepared under different conditions have been characterized {\it in-situ} by reflection high-energy electron diffraction (RHEED). Structural, optical and electrical properties were investigated with double crystal X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and deep level transient spectroscopy (DLTS), respectively. In order to decrease the microscopic point defect during the interfacial growth, the atomic layer epitaxy (ALE) was an effective growth method. The fabricated n-ZnSSe/p-GaAs solar cell grown by MBE exhibited open circuit voltage (V$_{oc}$) of 0.60 V, short circuit current (I$_{sc}$) of 1.2 $\times$ 10$^{-2}$ mA, fill factor of 0.73 and conversion efficiency of 11.1 \% under 38.5 mW/cm$^2$ illumination. 다른 조건으로 성장한 n-ZnSSe/p-GaAs 이종접합 구조는 성장 중에 RHEED 패턴을 in-situ로 관측하였다. 구조적, 광학적, 전기적 특성은 각각 X-선 회절, SEM사진 및 DLTS측정으로 조사하였다. 계면형성에 있어 미시적 결함을 저감하기 위해서는 원자층 에피택시(ALE)법이 유효한 성장방법이었다. MBE법으로 제작된 n-ZnSSe/p-GaAs 태양전지는, 광조사 38.5 mW/cm$^2$ 조건에서 개방전압(V$_{oc}$)은 0.60 V이고, 단락회로전류(I$_{sc}$)는 1.2 $\times$ 10$^{-2}$ mA, 충전인자(F.F.)는 0.73이었으며, 변환효율 11.1 \%를 나타내었다.