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산화물 박막을 이용한 인덕터, 캐패시터 및 LC 복합 소자 제조
김민홍,여환국,황기현,이대형,김인태,윤의준,김형준,박순자,Kim, Min-Hong,Yeo, Hwan-Guk,Hwang, Gi-Hyeon,Lee, Dae-Hyeong,Kim, In-Tae,Yun, Ui-Jun,Kim, Hyeong-Jun,Park, Sun-Ja 한국재료학회 1997 한국재료학회지 Vol.7 No.3
고밀도 고기능 전자기기의 발전과 고주파 이동통신의 증대에 따라 전자소자의 소형화, 집적화가 요구되고 있으며, 이는 전자소자의 박막화를 필요로 한다. 캐패시터, 인덕터는 전기 회로를 구성하는 기본적인 소자로서 그 응용 범위는 무수히 많으며, 따라서 이들 소자의 박막화는 전자소자의 소형화, 경량화에 큰 영향을 끼치리라 생각된다. 본 연구에서는 강자성 및 강유전 산화물 박막을 이용하여 인덕터, 캐터시터, LC 복합소자를 제조하였다. 고온 산화분위기에서 안정한 Au를 리프트 오프법으로 금속배선 패턴을 향상하였고, 스퍼터링, 화학기상증착법 등을 이용하여 산화물 박막을 증착하였다. 0.5-15GHz에서 network analyzer로 측정하고 Microwave Design System으로 분석한 결과 5nH의 인덕턴스, 10,000pF의 캐패스턴스, $10^{6}-10^{9}Hz$ 정도의 공진 주파수 값을 얻었다. bliniaturization oi microwave circuit components is an important issue with the development in the mobile communication. Capacitors, inductors anti hybrid devices of these are building blocks of electric circuits, and the fabrication of these devices using thin film technology will influence on the miniaturization of electronic devices In this paper, we report the successful fabrication of the inductors, capacitors and LC hybrid devices using a ferroelectric and a ferromagnetic oxide thin iilm. Au, stable at high temperatures in oxidizing ambient, is patterned by lift-off process, and oxide thin films are deposited by ion beam sputtering and chemical vapor deposition. These devices are characterized by a network analyzer in 0.5-15GtIz range We got the inductance of 5nH, capacitance oi 10, 000 pF and resonant frequencies of $10^{6}-10^{9}Hz$.
InGaN/GaN 청색 발광다이오드구조에서 Photovoltaic 효과가 Photoluminescence 스펙트럼에 미치는 영향에 관한 연구
송재호,송정훈,김인혜,문영부,안병준,양승현,여환국,이기원,최성철,홍사용,홍순구 한국물리학회 2008 새물리 Vol.56 No.4
We investigated the photovoltaic effect on the photoluminescence spectra from InGaN/GaN blue light emitting diodes (LEDs). For a practical characterization of InGaN/GaN LEDs, the difference in the peak positions between the photoluminescence (PL) and the electroluminescence (EL) spectra is one of the crucial issues and should be interpreted accurately. In this study, we report that emission spectra are sensitively affected by the photovoltaic effect. The transition energies and intensities of the LED devices in an open-circuit condition are significantly different from those in a short-circuit condition. The PL spectrum in an open-circuit condition, which is most usual, is influenced strongly by the photovoltaic effect, where the photovoltages range from 2.3 to 2.75 V, depending on specific sample structures. This result shows that photovoltaic effects should be taken into account properly in order both to correlate PL with EL spectra and to interpret PL spectra correctly. InGaN/GaN 청색 발광다이오드 구조에서 Photoluminescence (PL) 측정 시 여기 레이저에 의해 강한 Photovoltaic 효과 (PVE)가 나타남을 관측하였다. InGaN/GaN 양자우물 구조 내의 매우 강한 압전 전기장에 의해 PL과 Electroluminescence (EL) 스펙트럼의 세기와, peak 파장의 위치는 인가된 전기장에 따라 매우 민감하게 영향을 받았다. PL 스펙트럼이 PVE에 의해 아주 민감하게 영향을 받고 PVE에 의해 열린회로와 닫힌회로에서 PL 스펙트럼의 peak의 위치와 세기가 크게 다르다는 것을 관측하였다. 일반적인 PL 스펙트럼은 열린회로에서 측정하는데 이때 PVE에 의해 시료구조에 따라 2.29 $\sim$ 2.76 V까지 다르게 나타난다. InGaN/GaN 발광다이오드 구조에서 PL 스펙트럼을 정확히 해석하고 EL과 PL 스펙트럼을 정확히 관련지어 연구하기 위해서는 PVE의 정확한 해석이 반드시 필요함을 알 수 있었다.