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러시아의 '샤프 파워(sharp power)' 전략과 서방의 대응: RT와 스푸트니크 뉴스를 중심으로
심종현,제성훈 한양대학교 아태지역연구센터 2022 중소연구 Vol.45 No.4
이 연구의 목적은 ‘샤프 파워’ 개념에 주목하면서 RT와 스푸트니크를 중심으로 러시아가 수행하는 ‘샤프 파워’ 전략의 변화를 추적하고, 이에 대한 서방의 인식과 대응을 분석하는 데 있다. ‘샤프 파워’ 전략은 자신의 매력을 이용하여 상대방에게 확신을 주거나 설득하는 것이 아니라, 상대방의 정치체제, 사회제도, 가치 등의 신뢰를 저해하고 혼란과 분열을 조장하는 것은 물론, 상대방을 부정하면서 이에 대한 대안을 제시하는 것을 목적으로 한다. 미디어를 활용한 러시아의 ‘샤프 파워’ 전략은 다음과 같이 변화했다. 먼저, 태동기(2005~2008년)에 러시아 정부는 러시아 투데이를 설립하여 서방에서 유지되고 있던 자국의 부정적 이미지 개선을 시도하면서 서방 언론의 영향력을 약화하는 동시에, 서방 국가의 국민을 대상으로 NATO 확대의 부당성을 지적하고 자국의 호전적 이미지를 탈색하고자 했다. 전환기(2008~2014년)에 러시아 투데이는 2008년 8월 러시아-조지아 전쟁을 계기로 기존 러시아에 대한 긍정적 이미지 확산에서 벗어나 미국 정부에 대한 비판에 초점을 맞추기 시작했다. 이러한 차원에서 러시아 투데이는 그 명칭을 ‘RT’로 변경하고 유튜브 채널을 활성화하여 서방에서 영향력을 확대했다. 또한, 러시아 정부는 새로운 대외선전매체인 국제 통신사 로씨야 세고드냐를 설립했다. 확장기(2014년 이후)에 러시아의 대외선전매체는 ‘우크라이나 위기’를 계기로 서방 국가의 정부와 언론에 맞서 의문을 제기하는 ‘대안언론’의 역할에서 벗어나 원색적 수사를 사용하면서 정치적 색채를 강하게 드러내기 시작했다. 이와 함께, 새로운 대외선전매체인 스푸트니크가 라디오 방송과 온라인 뉴스 서비스를 개시했고, RT 역시 해외 지사 설립을 통해 영향력 확대를 시도했다. 2013년 말까지 서방 국가들은 RT 또는 스푸트니크의 활동에 대해 적극적 대응을 하지 않았다. 하지만 2013년 말부터 시작된 ‘우크라이나 위기’와 2014년 3월 러시아의 크림반도 병합으로 러시아와 서방의 관계가 악화하자 점차 태도를 바꾸게 되었다. 더욱이 러시아의 대외선전매체는 2016년 영국의 EU 탈퇴 국민투표와 미국 대선은 물론, 2017년 프랑스 대선에 개입했다는 의혹에 이어 2018년 이른바 ‘솔즈베리 사건’을 편파적으로 보도했다는 비판까지 받게 되었다. 이에 따라 서방 국가들은 RT와 스푸트니크에 대한 제재를 강화하기 시작했다.
심종현,최준혁,이창민,박경,김형섭,이후정,임준형,문미란,정동근,주진호 한국물리학회 2010 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.57 No.61
We fabricated InZnO and SnInZnO thin film transistors using the sol-gel process and evaluated the effect of Sn alloying on the electrical properties and the microstructure of the films. We used high-purity indium nitrate hydrate, tin chloride dihydrate, and zinc acetate dihydrate as the precursors, which were dissolved in 2-methoxyethanol at molar ratios of 1:1 and 1:1:1 for InZnO and SnInZnO, respectively. The gel film was deposited onto a highly-doped p-type Si substrate by spin-coating, followed by sintering at 400 ℃ in air for 1 h. The microstructural observation indicated that the SnInZnO film had an amorphous structure whereas the InZnO film consisted of a mixed amorphous and nanocrystalline structure. For the SnInZnO thin film transisotor (TFT), the threshold voltage, the on/off current ratio, and the saturating mobility were 32.5 V, 1.8 × 10 5, and 3.12 cm 2/Vs, respectively, which were superior to those for the InZnO TFT. Based on the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and transmission electron microscopy (TEM) analyses, the enhanced electrical properties were attributed to the improved controllability of the oxygen vacancies and to the amorphous structure afforded by the Sn alloying. Therefore, we conclude that SnInZnO semiconductors fabricated by using the sol-gel process represent a viable alternative to InGaZnO TFTs.
최준혁,심종현,황수민,박경,김형섭,이후정,문미란,정동근,임준형,주진호 한국물리학회 2010 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.57 No.61
We explored the application of the sol-gel process technique to the fabrication of InGaZnO (IGZO) thin film transistors (TFTs). We fabricated IGZO TFTs by using the sol-gel method and evaluated the effect of the sintering time on the electrical properties of the IGZO system with an atomic ratio of In:Ga:Zn = 2:1:1. In the process, IGZO precursor solutions were prepared by mixing In nitrate, Ga nitrate, and Zn acetate and were then deposited on a p-type Si-wafer covered with a thermallygrown SiO2 layer by spin-coating. The sintering process was performed for 3 h, 6 h or 12 h at 300 ℃ in the ambient atmosphere. The source/drain electrodes of the TFT devices were fabricated using Al thermal evaporation. For all of the samples, a low off current (∼10−11 A) and on-to-off current ratio (∼5 × 10 4) were obtained in their transfer curves. The saturation mobility increased with increasing sintering time: for the samples sintered for 3 h, 6 h and 12 h, the saturation mobilities were calculated to be 0.825 cm2/Vs, 1.65 cm2/Vs, and 2.06 cm2/Vs, respectively. Based on the XPS and TEM analyses, the enhancement of the mobility was attributed to the increase in the number of oxygen vacancies and the nanocrystalline structure in the amorphous matrix with increasing sintering time. These results demonstrate for the potential application of sol-gel processed IGZO devices on flexible polymer substrates.
멤브레인식 LNG 탱크벽체의 누설안전에 관한 수치해석적 연구
김청균(Chung Kyun Kim),심종현(Jong Hyun Shim) 한국가스학회 2008 한국가스학회지 Vol.12 No.4
본 논문에서는 멤브레인 내부탱크, 합판, PUF 보냉재, 또 다른 합판, 예응력 콘크리트(PC) 구조물로 건설된 LNG 저장탱크의 강도안전성을 4가지의 누설해석 파괴모델에 대해 수치적으로 해석하였다. 200,000㎥의 저장용량을 갖는 탱크벽면을 통한 LNG의 누설기준은 열저항 온도해석의 핵심이론이다. 결국 누설 LNG의 초저온 온도가 외부탱크의 외측벽면에서 검출되면, 이것은 저장탱크의 벽면두께를 통해 누설되었다고 가정할 수 있다. 열저항법에 기초한 누설안전성 해석결과에 의하면 합판이나 PUF 등은 벽면을 통해 누설하는 LNG를 차단할 수 있지만, 이들 벽면은 누설 LNG의 압력에 의해 파괴되므로 누설안전성을 보장하지 못한다. 그러나, PC 외부탱크는 누설된 LNG 압력을 접해도 초기에는 견디지만, 시간이 경과하면서 누설된 LNG가 탱크벽체 내부로 계속 스며들어 벽체의 온도가 급격하게 떨어지면서 누설은 진행될 것으로 예상된다. 따라서 PC 외부탱크는 누설 LNG를 일정기간 체류시켜 LNG의 누설기간을 연장하는 효과를 제공할 뿐이다. In this numerical study, the leakage safety of the LNG tank in which is constructed by membrane inner tank-plywood-polyurethane form-plywood-prestressed concrete structures has been presented for four leakage analysis models. The LNG leak criterion of the tank wall with a storage capacity of 200,000 ㎥ is analyzed based on the thermal resistance technique. This means that if the cryogenic temperature of a leaked LNG is detected at the outer side of the PC wall, it may be leaked through the wall thickness of the tank. The calculated results based on the thermal resistance method between two walls show that the plywood, PUF, and another plywood walls may block the leakage of the leaked LNG even though the strength of these walls is already collapsed by a leaked LNG pressure. But, the leaked LNG may pass the thickness of the prestressed concrete wall for a period of elapsed time even though the PC outer tank supports the leaked LNG pressure. Thus, the PC outer tank may extend the leakage time of a leaked LNG.