SCA 기반 다중모드 SDR 단말기 구조

김준식,김홍숙,박남훈,김진업,권오준,Kim, Jun-Sik,Kim, Hong-Suk,Park, Nam-Hun,Kim, Jin-Eop,Gwon, O-Jun 한국전자통신연구원 2008 전자통신동향분석 Vol.23 No.3

SDR 기술은 다양한 무선통신 환경(다중모드, 다중표준, 다중대역, 다중기능)에 유연하게 개처하기 위하여 하나의 공통 하드웨어 사용자가 원하는 응용 소프트웨어(무선 프로토콜 규격)로 재구성할 수 있는 개방형 신호처리 기술이다. 그러므로 SDR은 이러한 이동통신시장의 변화에 적극적으로 대처하기 위한 핵심기술로써, 통신시장이 직면하고 있는 문제점을 해결할 수 있는 해결책 중의 하나로 고려되고 있다. 본 고에서는 SCA 기반 SDR 단말기 구현을 위해, 통신 애플리케이션 소프트웨어를 지원하는 하부 구조 관점에서 SCA Core Framework의 구조 및 기능을 기술하고, ETRI에서 SCA 2.2 규격을 준수하여 개발한 SCARLET 미들웨어 및 SDR 공용 단말 하드웨어를 소개하고, SCA 기반의 HSDPA/T-DMB 응용 컴포넌트 구현을 통한 실험 내용을 소개한다.

CaF₂ 두께 변화에 따른 ZnS/CaF₂/ZnS/Cu 다층 박막의 광특성

김준식,장건익,Kim, Jun-Sik,Jang, Gun-Eik 한국전기전자재료학회 2009 전기전자재료학회논문지 Vol.22 No.7

Layered ZnS/$CaF_2$/ZnS/Cu film was deposited on glass substrate by using evaporation method. ZnS and $CaF_2$ were chosen as high and low refractive materials. Cu was used as mid-reflective layer. Reflectance with different optical thickness of $CaF_2$ ranging from $0.25{\lambda}\;to\;0.5{\lambda}$ were systematically investigated by using spectrophotometer. In order to expect the experimental results, the simulation program, the Essential Macleod Program(EMP) was adopted and compared with the experimental data. Based on the results taken by spectrophotometer, the ZnS/$CaF_2$/ZnS/Cu multi-layered thin film show the maximum reflectance of 80% at 625nm $(0.25{\lambda}\;in\;CaF_2)$ and 42% at 660nm $(0.5{\lambda}\;in\;CaF_2)$ respectively. As compared with the experimental results and simulation data, it was confirmed the experimental data is well matched with the EMP data.

저온공정 실리콘 산화막의 질소 패시베이션 효과

김준식,정호균,최병덕,이기용,이준신,Kim, Jun-Sik,Chung, Ho-Kyoon,Choi, Byoung-Deog,Lee, Ki-Yong,Yi, Jun-Sin 한국전기전자재료학회 2006 전기전자재료학회논문지 Vol.19 No.4

Poly silicon TFT requires high quality dielectric film; conventional method of growing silicon dioxide needs highly hazardous chemicals such as silane. We have grown high quality dielectric film of silicon dioxide using non-hazardous chemical such as TFOS and ozone as reaction gases by APCVD. The films grown were characterized through C-V curves of MOS structures. Conventional APCVD requires high temperature processing where as in the process of current study, we developed a low temperature process. Interface trap density was substantially decreased in the silicon surface coated with the silicon dioxide film after annealing in nitrogen ambient. The interface with such low trap density could be used for poly silicon TFT fabrication with cheaper cost and potentially less hazards.

적층평판의 응력해석 향상을 위한 고전적 고차전단변형이론의 개선

김준식,한 장우,조맹효,Kim, Jun-Sik,Han, Jang-Woo,Cho, Maeng-Hyo 한국전산구조공학회 2011 한국전산구조공학회논문집 Vol.24 No.3

본 논문에서는 고전적 고차전단변형이론(HSDT)을 이용한 복합재료 적층평판의 응력해석 개선기법을 소개한다. 횡방향 응력들에 대해서만 변분을 취하는 혼합변분이론(Mixed variational theorem)을 통하여 횡방향 전단 변형에너지를 개선하였다. 가정된 횡방향 전단응력은 면내 변위가 5차 다항식을 갖는 고차 지그재그 이론으로부터 구하였으며, 변위들은 고전적 고차전단변형이론의 변위장을 사용하였다. 이 과정을 통하여 얻어진 변형 에너지를 본 논문에서는 EHSDTM라고 명명하였으며, 이 이론을 통해 복합재 적층평판의 변위와 응력을 계산함에 있어서 HSDT와 비슷한 수준의 계산적 효율을 가지면서, 동시에 최소자승오차법에 따른 후처리 과정을 적용함으로써 변위와 응력의 두께방향 분포를 정확하게 예측할 수 있도록 개선하였다. 계산된 결과는 고전적 HSDT, 3차원 탄성해 등의 여러 결과들과 비교하여 검증하였다. In this paper, an systematic approach is presented, in which the mixed variational theorem is employed to incorporate independent transverse shear stresses into a classical higher-order shear deformation theory(HSDT). The HSDT displacement field is taken to amplify the benefits of using a classical shear deformation theory such as simple and straightforward calculation and numerical efficiency. Those independent transverse shear stresses are taken from the fifth-order polynomial-based zig-zag theory where the fourth-order transverse shear strains can be obtained. The classical displacement field and independent transverse shear stresses are systematically blended via the mixed variational theorem. Resulting strain energy expressions are named as an enhanced higher-order shear deformation theory via mixed variational theorem(EHSDTM). The EHSDTM possess the same computational advantage as the classical HSDT while allowing for improved through-the-thickness stress and displacement variations via the post-processing procedure. Displacement and stress distributions obtained herein are compared to those of the classical HSDT, three-dimensional elasticity, and available data in literature.

나누는 사람들

김준식,맹영선,Kim, Jun-Sik,Maeng, Yeong-Seon 한국조혈모세포은행협회 2007 나누는사람들 Vol.40 No.-

Si 첨가물이 ZnO의 전기적, 광학적 특성에 미치는 영향

김준식,장건익,Kim, Jun-Sik,Jang, Gun-Eik 한국전기전자재료학회 2011 전기전자재료학회논문지 Vol.24 No.6

ZnO is an n-type semiconductor with a wide band gap near 3.37 eV. It was known that ZnO films with a resistivity of the order of $10^{-4}\;{\Omega}cm$ is not easy to obtain. 1, 3, and 5wt% Si element were added into ZnO in ordre to improve the electrical and optical characteristics. The Si-doped ZnO (SZO) was grown on a glass substrate by radio frequency (RF) magnetron sputtering at the temperature range from 100 to $500^{\circ}C$. X-ray diffraction (XRD) patterns of SZO film showed preferable crystal orientation of (002) plane. It was confirmed that the lowest resistivity of the SZO films was $2.44{\times}10^{-3}{\Omega}cm$ and SZO films were significantly influenced by the working temperature. The average transmittance of the films was over 80% in the visible ranges.

Ga 첨가물이 ZnO의 전기적, 광학적 특성에 미치는 영향

김준식,장건익,Kim, Jun-Sik,Jang, Gun-Eik 한국전기전자재료학회 2010 전기전자재료학회논문지 Vol.23 No.9

ZnO with the wide band gap near 3.37 eV is typically an n-type semiconductor in which deviation from stoichiometry is electrically active. It was known that the films with a resistivity of the order of $10^{-4}{\Omega}cm$ is not easy to obtain. In order to improve electrical characteristic of ZnO, we added 1, 3, 5 wt% Ga element in ZnO. The Ga-doped ZnO (GZO) was grown on a glass substrate by radio frequency (RF) magnetron sputtering at the temperature range from 100 to $500^{\circ}C$. X-ray diffraction (XRD) patterns of GZO films showed preferable crystal orientation of (002) plane. The lowest resistivity of the GZO films was $8.9{\times}10^{-4}{\Omega}cm$. GZO films significantly influenced by the working temperature. The average transmittance of the films was over 80% in the visible ranges.

건유우를 위한 건강관리요령

김준식,Kim, Jun-Sik 한국낙농육우협회 2005 낙농·육우 Vol.25 No.12

여름철 운동시 유의할 점

김준식,Kim, Jun-Sik 한국화재보험협회 1996 防災와 保險 Vol.70 No.-

대퇴골 주요축의 3차원 모델링에 의한 전염각의 측정

김준식,김선일,Kim, Jun-Sik,Kim, Seon-Il 대한의용생체공학회 1998 의공학회지 Vol.19 No.4

대퇴 전염각의 정확한 측정은 뼈를 절개하여 각을 조절하는 시술(derotation osteotomy)에 있어서 매우 중요하다 대퇴 전염각을 정확히 측정하기 위해서는 대퇴골 장축과 목축, 관절구축의 정확한 선정이 필수적이다. 기존의 2차원 영상에 의한 대퇴 전염각의 측정 방법은 간단하지만 3차원 공간상에서 축들을 결정하기 모호한 단점을 가지고 있고, 3차원 영상을 이용하는 방법은 뼈를 밖에서 직접 측정하는 것과 같은 결과를 얻을 수 있어 2차원 방법보다는 정확한 측정이 가능하나 처리과정이 복잡하고 정량적이고 객관화된 결과를 얻는 것이 어려운 문제점을 가지고 있다. 본 연구에서는 대퇴골을 3차원으로 모델링하여 정량적이고 객관적인 대퇴 전염각의 측정법을 제시한다. 이것은 먼저 촬영된 슬라이스 영상들을 3차원상에서 재구성한 뒤, 대퇴골두와 목 모델로부터 대퇴골 목축을 정하고, 대퇴 관절구 모델로부터 대퇴 관절구축을 결정한다. 또한, 대퇴골 주축을 원통으로 모델링하여 장축을 결정한다. 대퇴 전염각은 대퇴관절구의 접평면에 대한 대퇴골축의 기울어진 정도로 정의되며, 이 정의를 이용하여 대퇴 전염각을 구한다. 결과에서 20명 CT영상으로부터 대퇴골 샘플을 측정하여 기존의 2차원 및 3차원 영상법의 결과와 비교하여 제시한 방법이 객관적이고 정확한 측정방법임을 검증한다. The accurate measurement of the femoral anteversion is important for the derotational osteotomy. To estimate femoral anteversion, following three major parameters are required; the neck axis, the long axis, and the knee axis. Conventional methods on the basis of 2D images are ambiguous to determine these major axes. As the femur has a complex 3 dimensional structure, the 3 dimensional model should be applied for accurate and reliable measurement of femoral anteversion. In this thesis, we model femur and define three parameters. The neck axis is defined from the femoral head and neck model. The long axis is determined from the cylindrical model of the femoral shaft. The knee axis is also determined from the model of femoral condyles. According to the definition of the femoral anteversion, the femoral anteversion is efficiently estimated from these models. 20 specimens were tested by the conventional 2D imaging method and 3D imaging method witch was developed by authors and the new 3D modeling method. The study provides accurate, fast and human factor free measurement for femoral anteversion.