짧은 채널 효과를 감소시키기 위한 이온주입 변수의 조절

유종선,김여환,Yu, Jong-Seon,Kim, Yeo-Hwan 한국전자통신연구원 1987 전자통신 Vol.9 No.1

짧은 채널($L<1\mum$) MOSFET의 전기적 변수, 특히 문턱전압(threshold voltage)을 최적화시키기 위하여 분석적 문턱전압 모델을 개발하였다. 채널 영역에서의 붕소profile은 계단 (step) profile로 근사시켜 표면전하층과 기판전하층으로 구성하였다. 최대공핍층내에 있는 두 전하층의 각각에 대하여 기하학적으로 근사시킨 전하분배(charge sharing)모델을 적용하고 이차원적 분석을 이용하여 짧은 채널 효과를 계산하였다. 본 모델을 실험치와 비교하고 이온주입 공정의 최적조건을 이끌어내는 데 필요한 변수에 대하여 논의하였다.

이온 주입한 MOSFET에 대한 Threshold 전압의 모데링

류종선,김여환,김보우,Ryu, Jong-Seon,Kim, Yeo-Hwan,Kim, Bo-U 대한전자공학회 1985 전자공학회지 Vol.22 No.1

본 논문에서는 채널에 붕소를 이온주입하여 불균일한 도우핑 profile을 가지는 n-채럴 MOSFET의 threshold 전압에 대하여 보다 간단한 모델링을 기술하였다. 실제의 도우핑 Profile들 지수적인 Profile을 지수적인 profile로 근이시키고 Poisson방정식과 depletion approximation을 이용하여 실리콘 표면의 Potential, 최대 공핍층의 폭 그리고 threshold 전압을 구하였다. 계산한 threshold 전압이 실험치와 잘 일치한다는 사실은 이온 주입한 MOS소자들에 대하여 지수적인 도우핑 Profile로 근이시킬 수 있다는 타당성을 보여 주고 있다.

DOT-3 브레이크액에서 오염에 따른 광학적 특성 연구

지인근(Ji, In-Geun),김여환(Kim, Yeo-Hwan) 한국정보전자통신기술학회 2015 한국정보전자통신기술학회논문지 Vol.8 No.5

DOT-3 규격의 자동차 브레이크액에 대하여 수분 함유량과 시스템 마찰로 인한 오염도를 전기저항과 광학 투과율을 측정하여 비교하였다. 기존의 저항측정법은 수분 함유량을 주로 측정하는 반면에 광학 투과율 방식은 제동장치 내부의 마찰에 의하여 발생된 입자의 오염을 포함하여 측정할 수 있어서 저항변화 측정보다는 광학 투과율 방법이 더 선형적이고 효율적이었다. The results of between resistance and optical transparency measurement in DOT-3 brake fluid contaminated moisture and particles generated from fraction of brake system was compared. Conventional resistance measurement method was known to be effaced by it's hygroscopic characteristics. However, the particle is a significant element of the contamination sources. Proposed optical transparency measurement is linear and effective than that of contamination in brake fluid.

Influence of HMDS additive on the properties of YAG:Ce nanophosphor

Choi, Kyu-Man(최규만),Kim, Yeo-Hwan(김여환),Lim, Hae-Jin(임해진),Yoon, Sang-Ok(윤상옥) 한국정보전자통신기술학회 2011 한국정보전자통신기술학회논문지 Vol.4 No.1

YAG:Ce 형광제 제조에 있어서 공침(co-precipitation) 후 n-butanol 공비증류(azeotropic distillation)시 HMDS(hexadimethyldisilazane)를 첨가하였을 때, 형광체가 광학특성에 미치는 영향에 관하여 연구하였다. 물과 유기용제에 의한 공비증류 시 유기용제의 분자량이 크면 표면의 수소결합이 유기용제로 치환됨으로서 표면장력을 감소시켜 분체의 원형화(conglobation)와 응집(agglomerate)을 감소시키므로 유기용제로 n-butanol보다 분자량이 큰 HMDS을 첨가하였다. N-butanol 만을 사용한 형광체가 HMDS를 첨가한 것 보다 응집(agglomerate)되는 현상이 감소하였으며 우수한 광학적 특성을 나타내었다. Influence of hexamethyldisilazane(HMDS) in post processing technique by using n-butanol azeotropic distillation on the luminescence properties of YAG:Ce nanophosphor were studied. The organic solvent(n-butanol) azeotropic distillation which prevent powders from conglobation since lager molecules decrease the surface tension and more complete replace the residual water in the precipitate. HMDS that had larger molecules than that of n-butanol was added in azeotropic distillation. The phosphor synthesized from n-butanol azeotropic distillation exhibited lower agglomerate and better photoluminescence properties than that from HMDS added heterogeneous azeotropic distillation.

졸-겔법을 이용한 TiO₂ 박막의 광촉매 특성

최규만(Choi, Kyu-Man),김여환(Kim, Yeo-Hwan),임해진(Lim, Hae-Jin) 한국산학기술학회 2013 한국산학기술학회논문지 Vol.14 No.2

TiO₂ 박막을 저온 열처리 졸-겔 법으로 합성하였다. 박막의 기판은 면적이 100㎟인 붕규산염 유리를 사용 하여 시료를 300˚C부터 11000C까지 열처리하였고, 이때 제조된 박막의 두께는 약 1.5μm정도였다. 300˚C에서 2시 간 동안 열처리한 TiO₂ 박막은 아나타제 상을 나타내었고 열처리 온도가 증가함에 따라 비정질 상태에서 아나타제 상과 루타일 상이 공존하면서 각 상의 분율이 변화하였다. SEM 분석에 의하면 박막의 입자 크기는 0.1∼0.54μm이었 으며 Uv-visible 반사특성에 있어서 390nm부근에서 광흡수가 되는 것을 알 수 있었다. 따라서 낮은 열처리 온도에서 생성된 TiO₂ 박막은 주로 아나타제 상을 가지며 광촉매 특성을 2.4배 증가시키는 것으로 나타났다. Thin film of TiO₂ was obtained by the sol-gel dip method on the brosilicate glass substrate. It was found that the film was about 1.5μm thick as obtained by 4 successive coatings and annealed at varied temperatures ranged from 300˚C to 1100˚C for 2 hrs. The substrate used was having the surface area of 100㎟. Increasing the annealing temperature caused to change in mineralogical phase of titanium oxide i.e.., amorphous, crystalline antase to rutile phases. The particle size of the titanium oxide film were ranged from 0.1~0.54μm estimated by the SEM analysis. The material showed an absorbance maximum at the wavelength 390nm obtained by UV-visible spectrophotometer. These results therefore, indicated that the TiO₂ film obtained relatively at low annealing temperature consisted predominantly with anatase phase; possessed higher photocatalytic behavior i.e., 2.4 times higher than that of only UV lamp irradiation.

전계 방출 소자의 특성 분석과 회로 모델

임정돈(Jeong Don Im),김여환(Yeo Hwan Kim),이종덕(Jong Duk Lee) 대한전자공학회 1995 대한전자공학회 학술대회 Vol.1995 No.12

유전체 (Si3N4/SiO2/Si3N4) 멤브레인 위에 제작된 크로멜-알루멜 열전 유량센서

이형주 ( Lee Hyeong Ju ),김진섭 ( Kim Jin Seob ),김여환 ( Kim Yeo Hwan ),이정희 ( Lee Jeong Hui ),최용문 ( Choe Yong Mun ),박세일 ( Park Se Il ) 한국센서학회 2003 센서학회지 Vol.12 No.3

Si₃N₄/SiO₂/Si₃N₄ 열차단막을 이용한 크로멜-알루멜(chromel-alumel) 열전(thermoelectric) 유량센서를 제작하였다. 백금 박막 히터의 저항온도계수는 약 0.00397/℃이었고, 크로멜-알루멜 열전쌍(thermocouple)의 Seebe다 계수는 약 36 μN/K이었다. 기체의 열전도도가 증가할수록 유량센서가 나타내는 열기전력은 감소하였으며, 히터의 온도가 증가하거나 히터와 열전쌍 사이의 간격이 감소할수즉 유량센서의 N₂유량에 대한 심도는 증가하였다. 히터 전압을 약 2.5 V로 하였을 때 유량센서의 N₂ 유량에 대한 감도는 약 1.5 ㎷/sccm^(1/2)이었고, 열 응답시간은 약 0.18초이었다. 크로켈-알루켈 열전 유량센서의 유량감도에 있어서 신형 범위가 Bi-Sb 유량센서의 것보다 더 넓게 나타났다. A chromel-alumel thermoelectric flow sensor using Si₃N₄/SiO₂/Si₃N₄thermal isolation membrane was fabricated. Temperature coefficient of resistance of thin film Pt-heater was about 0.00397/℃, and Seebeck coefficient of chromel-alumel thermocouple was about 36 ㎶/K. The sensor showed that thermoelectric voltage decreased as thermal conductivity of gas increased, and N₂-flow sensitivity increased as heater voltage increased or the distance between heater and thermocouple decreased. When heater voltage was about 2.5 V, N₂-flow sensitivity and thermal response time of the sensor were about 1.5 ㎷/sccm^(1/2) and 0.18 sec., respectively. Linear range in flow sensitivity of the flow sensor was wider than that of Bi-Sb flow sensor.

전계 방출 소자의 특성과 회로 모델

金如煥 관동대학교 1997 關大論文集 Vol.25 No.2

A circuit model for the field emission devices has been proposed. The model parameters have been extracted from the fabricated silicon tip array and verified by comparing with the results simulated by circuit simulator(SPICE). The maximum operating frequency can be calculated from the capacitance and the transconductance(g) of the array. For an emitter array, the capacitance of 3.45×10 pF/tip and the transconductance is 0.6 μS/tip have been measured under the emission current of 10 μA/tip. From these values, the cut-off frequency can be also predicted to be 28 MHz.

HMD 驅動用 高電壓 素子 製作

金如煥 관동대학교 2000 關大論文集 Vol.28 No.2

In an plat panel display devices. operating frequency of driving circuit is very important since performances of display system are limited by this switching speed. LDMOS is mostly used for high voltage ICs since MOSFET has the faster switching ability and the negative thermal coefficient of carrier mobility. Drift region in which impurity concentration should be low to reduce the lateral field caused by high drain voltage is necessary in LDMOS. Lateral field was mitigated by RESURF. then drift region can be shorten reducing the drain on-resistance. A new SOI LDMOS structure with the breakdown voltage over 200V for head mount display was fabricated. It is compatible to the existing 1.2㎛ CMOS process.

先無晶質化된 p+ 多結晶 硅素薄膜의 性質

金如煥 관동대학교 1996 關大論文集 Vol.24 No.1

An investigation of the DC conductivity dependence on As preamorphization effect in p+ poly -Si film is presented. DC conductivity of preamorphized film increases about 26.% compared to that doped with only boron in spite of the carrier compensation effects. XTEM micrograph shows that the structure of film is changed an uniform columnar layer to the bi-layer consist to two different grain sizes. In bilayer film larger grain size(∼0.2 ㎛) located in upper layer of film was growth by As+ amorphization and subsequent recrystallization. However, the other smaller one (∼0.3 ㎛) located in bottom was not changed because of the out of range effected by As+ amorphization. The average conductivity of the bi-layer film mainly depends on the thickness of recrystallized layer.