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앙상블 몬테 카를로 시뮬레이션에 의한 AlxGa₁-xAS의 전자 전송에 관한 연구
황성범,송정근,홍창희 東亞大學校 附設 情報通信硏究所 1994 情報通信硏究所論文誌 Vol.2 No.1
The transient of electron velocity and energy of AlxGa₁-xAs was simulated by Ensemble Monte Carlo method according to the varition of the Al mole fraction x. For AlxGa₁-xAs whose Al mole fraction was below x=0.45(the direct bandgap), the overshoot was obserbed in the transient of electron velocity as well as of the energy at about 0.2 psec, and it was accured earlier as the mole fraction increase. On the other hand, for the indirect AlxGa₁-xAs whose mole fraction about 0.45, the overshoot was not happened in the velocity and the energy transient as well, and they were quickly saturated. It was identified that the energy relaxation time of electron(0.4 psec) was lager than the momentum relaxation time(0.2 psec) in AlxGa₁-xAs. Finally, in the relationship between the energy and the travelled distance of the electron, a "kink" was shown and it was enhanced as the applied field increased dut to the increament of the population of electron in X-valley.
전압-주파수 컨버터 특성을 갖는 CMOS 신경세포 회로 설계
이일섭,하영철,홍창희 東亞大學校 附設 情報通信硏究所 1999 情報通信硏究所論文誌 Vol.7 No.1
DSP용도의 신경회로망을 CMOS VLSI로 구현하기 위한 단위 신경세포 회로의 구조를 설계하였으며, 설계의 주안점은 고집적이 가능한 단순 구조이면서도 생물학적 신경세포의 기본 특성들에 근사한 동작을 수행하도록 설계하는데 있었다. 신경세포의 기본 특성 중 입력에 대한 시그모이드 함수 형태의 출력 특성은 디지털 시스템에의 응용을 위해 PCNN 기법을 사용하여 입력 전압 변화에 대한 출력 발진 주파수의 변화로 대응되는 기능을 갖도록 설계하였으며, 이렇게 설계된 CMOS 신경세포 구조가 목적으로 한 출력함수와 생물 신경세포의 특성들에 근접한 기증을 수행함을 SPICE 시뮬레이션을 통해 검증하였다. 또한 검증된 특성들을 이용하여 설계된 CMOS 단위 신경세포가 DSP에 직접 응용될 수 있음을 비트 데이터 엔코딩과 비트 연산 데이터 처리 기증을 예로들어 설명하였다.
첨단 과학기술 기반 성능중심 재난대응시스템 구축 방안 연구
홍창희 한국통신학회 2021 정보와 통신 Vol.38 No.6
본고에서는 재난재해 발생 시 현장 대응의 미숙함으로 많은 인명 피해가 발생하는 등 인구 과밀화와 시설 집중이 가속화되고 있는 현대 사회에서 첨단 과학기술이 반영된 성능중심 재난대응시스템의 필요성에 대해 살펴보고, 이와 같은 시스템의 구현을 위해 디지털 트윈을 기반으로 고신뢰와 실시간성, 연결성 등 재난대응시스템에서도 필수로 요구되는 기술 요소를 특징으로 하는 CPS(Cyber-Physical System)의 기술 개념과 이를 적용하여 성능중심 재난대응시스템을 구현하기 위한 방안을 알아본다.
에미터 형성공정에 따른 실리콘 고주파 트랜지스터의 전기적특성
金政彦,洪昌熹 東亞大學校 附設 情報通信硏究所 1994 情報通信硏究所論文誌 Vol.2 No.1
UHF(Ultra High Frequency)대역에서 사용되는 실리콘 바이폴라 고주파 트랜지스터의 제작시 에미터 형성 방법에 따른 전기적 특성변화를 고찰하였다. 시료의 에미터 형성방법에는 3가지 경우를 적용하였다. 첫째, POCl₃을 이용한 방법. 둘째, 비소 이온을 주입한 후 爐에서 확산한 방법. 셋째, 비소를 이온 주입한 後에 급속열공정(Rapid Thermal Process : RTP) 방법을 실시하였다. 결과로써 POCl₃을 이용해서 인을 도펀트(Dopent)로 사용한 경우는 에미터 푸시(Push)효과에 의하여 주파수 특성이 열화되었다. 반면에 비소를 도펀트로 사용하고 급속 열공정을 이용하여 에미터 농도 기울기를 급격하게 만든 시료는 전기적 특성이 매우 우수하게 나타났다.
n개의 파장을 분리 할 수 있는 WDM 광 결합기에 관한 연구
尹成鉉,姜羊遠,洪昌熹 東亞大學校 1989 東亞論叢 Vol.26 No.1
The optical coupler composed of polished single mode optical fiber can divide two wavelengths. If optical fiber is polished with paraller, very long coupling length is obtainahle, so can make WDM optical Coupler that dividahle n's Wavelengths. In this paper, we propose the condition of the WDM optical coupler that can divide two wavelengths to n's Wavelengths.
High Stiffness를 갖는 Digital 직류 Servosystem 설계
홍창희,장기효,장윤영 동아대학교 공과대학 부설 한국자원개발연구소 1989 硏究報告 Vol.13 No.2
The conventional proportional P controller has been used as the position controller of the dc servomotor. When the unknown and inaccessible load torque, such as the coulomb friction and so on, is imposed on the dc servomotor, this controller system has the stedy state error and transient-state error. this will be reduced by a new method in this paper, which is composed P type controller is based on the observer and programmed in the computer. by this method, We can obtain high stiffness of the DC servomotor control system. The discrete observer should be employed because this type of observer can estimate the external force simply and fast.
박상정,송정근,홍창희 東亞大學校 附設 情報通信硏究所 1996 情報通信硏究所論文誌 Vol.4 No.1
A novel semiconductor device called a MQW-IMD(Multi Quantum Well Injection Mode Device) is designed for the hardware implenentation of electronic pulse mode neural network. As the operation is analogous to biological neuron, the device can be used as basic PE(Processing Element) of artificial neural system. The neural trigger circuit consists of a MQW-IMD and paralled RC load. For the optimization of the trigger circuit, The electron energy accelerated in AlxGa₁- xAS/GaAs barrier was calculated Ensemble Monte Carlo method in according with the electric field for A1 mole fraction, x=0.4 In the consideration of electron temperature and average ionization rate as well as ionization cross section, we extracted the improved relationship between the pulse frequency and the input voltage.