Solution-Shearing-Method을 이용한 C8-BTBT 기반의 고성능 유기 TFT 제작에 관한 연구

이진호 부경대학교 대학원 2017 국내석사

Organic thin-film transistors (OTFTs) wherein organic semiconductors used as active layer have attacted significant interests because of their solubility to be applied to low-cost printing technology and advantages of mechanical flexibility for flexible electronics. A promising class of organic materials for high performance TFTs is based on solution-processable small-moleucle semiconductor such as Tips-pentacene, TES-ADT and C8-BTBT. Among these promising materials, especially, C8-BTBT has excellent self-organizing properties and fluidity. These are beneficial to form a thin-film with improved crystallinity and allowed the fabrication of high performace OTFTs in terms of field-effect mobility value. In this thesis, we demonstrate a fabrication of C8-BTBT based OTFTs with Solution-Shearing-Method that can be used to tune the molecular packing and crystalline texture of small-molecule semiconductors. By using the Solution-Shearing-Method, we obtatined reasonably high-performance C8-BTBT based TFTs with on/off ratio of >107, mobility of up to 0.516 cm2/Vs.

國民學校 進路敎育의 問題點과 그 改善方案에 關한 硏究

이진호 建國大學校 1988 국내석사

Adaptive Playout Scheduling and Signal Reconstruction Algorithm for Improving Quality of Speech in Mobile VoIP

이진호 광운대학교 2012 국내석사

The quality of real-time voice communication over Internet Protocol networks is affected by network impairments such as delays, jitters, and packet loss. To solve this issue, this paper proposes a new receiver-based enhancing method of voice over internet protocol (VoIP) speech quality. Our approach is based on the combined playout control and signal reconstruction technique that consists of a set of algorithms that conceal packet losses, reduce buffering delay, detect spike delays, and alleviate packet delay jitter. The proposed fully receiver-based enhancing algorithm is computationally efficient, delivers high-quality voice service, and is suitable for use in any practical mobile VoIP system.

구체적 조작 활동을 통한 분수의 개념 지도

이진호 광주교육대학교 교육대학원 2003 국내석사

손상특성을 고려한 교량 바닥판의 유지관리 방안 연구

이진호 한경대학교 2014 국내석사

The main cause of deck deterioration with overlay is the freezing-thawing action in the area where the concrete was saturated by water and deicing salt. It is impossible to evaluate the condition purpose of this study was to investigate the changes of quality of deck by visual inspection due to overlay. Therefore, it is needed to establish the management practice for concrete bridge decks with overlay. To do this, analyze the strengths and weaknesses of 'vehicle mounted radar' for inspect bridge deck deterioration by compare and analyze latest maintenance technique. And verify the authenticity and assess the applicability of 'vehicle mounted radar' via representative selection of the bridge and apply them.

시스템들 간에 사용자 접근 방지 기능 도입을 통한 SAC 확장방안

이진호 배재대학교 대학원 2014 국내석사

다양한 콘텐츠 정보가 온라인상에서 놀라울 정도로 확대되어진 시점은 불과 몇 년 전이다. 2000년을 실시간 공유와 같은 정보 및 자료의 홍수가 이루어진 기술기반의 해라면, 이후 2011년까지는 활용기반의 기능과 솔루션이 넘쳐나는 기간이었다. 또한 이러한 시스템의 활용도가 높아지는 과정 속에서 2009년과 2010년에는 대규모 개인정보의 유출사건이 발생한바 있고 정보의 보호를 위한 방어와 보호를 위한 기술과 솔루션들이 지속적으로 개발, 적용되고 있으나 내부 사용자 또는 내부 자원에 대한 불법적인 접근피해는 날로 증가하고 있다. 따라서 본 논문에서는 내부정보 유출에 대한 피해를 막기 위한 방안으로 사용자 접근 방지기능 도입을 통한 SAC확장방안을 제시하고자 한다. SAC의 게이트웨이 방식은 현존하는 업계에서 가장 많이 사용하는 방법이나 우회공격에 미흡하다는 단점을 가지고 있다. 이 단점을 보완코자 APA를 설계하여 적용하였다. APA는 우회방법을 통하여 접근권한이 없는 시스템에 접근하려는 시도를 탐지하여 강제차단 하는 에이전트이다. 이 APA를 SAC에 적용하여 기존 단점을 보완하고 안전한 시스템 접근통제를 제공하고자 한다.

Inconel 718 엔드밀 가공시 절삭특성 및 공구마모에 관한 연구

이진호 전북대학교 일반대학원 2013 국내석사

The purpose of this study was to provide a basic data that can work on the tool wear and the cutting properties of the Inconel 718 become critical aviation and space industry, and is applied to the industry is the final goal. Inconel 718 is an important material used in the engine of the aircraft in the super heat-resistant alloy. Generally, difficult-to-cut materials is difficult to process the cutting. In this paper, by using a three feed rate and three cutting speed materials described above were placed variables total of nine, and to analyze the cutting properties through the tool wear and the cutting resistance. Tool wear analyzes with the SEM in particular.

Effect of various cuprous halide interlayers on the performance of phthalocyanine/C_(60) small-molecule organic solar cells

이진호 국민대학교 일반대학원 2015 국내석사

A series of cuprous halide (CuX), i.e. CuCl, CuBr and CuI, interlayers were introduced between the hole-transporting and electron-donor layer in phthalocyanine (Pc)/C_(60)-based small-molecule organic photovoltaic (OPV) cells. Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) as the hole-transporting material and two types of Pcs, zinc phthalocyanine (ZnPc) and subphthalocyanine chloride (SubPc) as the electron-donor material were used. In the case of ZnPc, strong substrate-molecule interaction between the CuX and ZnPc partly converted surface-perpendicular stacking geometry of ZnPc molecules into surface-parallel one. This flat-lying geometry led to an enhancement in electronic absorption and charge transport directed toward the electrode along the π-π coupling within the ZnPc films. In addition, the electronic absorption of the ZnPc film increased via maximized overlap between the transition moment and electronic vector. As a result, the short-circuit current density (J_(SC)) and overall power conversion efficiency of the cell with CuI interlayer increased by 44 % and 37 %, respectively. In the case of the cells with CuBr and CuCl interlayer, however, the enhancement in device performances was limited because of the reduced conversion of the molecular geometry and increased energy barrier for hole extraction due to the low highest occupied molecular orbital level of the interlayer. In the case of SubPc, the enhancement in J_(SC) was less apparent than that of the ZnPc because the SubPc is a non-planar molecule and the dramatic change of molecular geometry was not made. However, the superior energy level alignment induced by the interlayers resulted in an increase of the open-circuit voltage, V_(OC), of the SubPc/C_(60) cell up to 72 %. A slight increase in short-circuit current density, J_(SC), of ~ 1.3 mA cm^(-2) for the cell with CuI interlayer was also observed. As a result, the overall power conversion efficiency of the CuI interlayer-inserted cell reached 2.90 %, the value increased by 59 % as compared to that of the cell without interlayer. The growth behavior and consequent surface morphology evolution of ZnPc thin films deposited on a CuI interlayer were also studied using height difference correlation function (HDCF) analysis. The planar phthalocyanine thin films grown on non-interacting substrates have previously been reported to show anomalous scaling behavior such as large growth exponents, β, sometimes larger than 0.5, and small anomaly values, ρ, typically smaller than 0.6. In contrast, ZnPc thin films on a CuI interlayer (CuI/ZnPc) in this work showed conventional scaling behavior with a β value of 0.26 ± 0.05 and a ρ value of 0.91. The HDCF analyses and x-ray diffraction results indicated that the expected interdigitated electron donor-acceptor interface was hardly formed for the CuI/ZnPc thin film system due to the lack of surface–parallel crystallites with high step edge barriers. 활성층 전자주개 물질로 프탈로사이아닌을, 전자받개 물질로 C_(60)을 사용하여 제작된 단분자 유기태양전지에 있어서, 여러 가지 할로젠화 구리 (CuX) 중간층을 정공수송층인 PEDOT:PSS 층과 전자주개층인 프탈로사이아닌 층 사이에 삽입하였을 때, 프탈로사이아닌 박막 표면의 구조적, 분광학적 변화와 이에 따른 소자의 특성 변화를 관찰하였다. 할로젠화 구리 물질로는 염화구리(I) (CuCl), 브롬화구리(I) (CuBr), 요오드화구리(I) (CuI)를 사용하였고, 프탈로사이아닌 물질로는 평면 구조의 아연프탈로사이아닌 (ZnPc)과 비평면 원뿔 구조의 서브프탈로사이아닌 (SubPc)을 사용하였다. 인듐-주석 산화물 (ITO)과 같이 반응성이 낮은 기질 위에서 평면형 분자인 아연프탈로사이아닌은 그 분자면이 기판에 수직인 형태로 증착되는 것으로 알려져 있지만, 할로젠화 구리 중간층 위에서는, 할로젠화 구리와 아연프탈로사이아닌 사이의 강한 기질-분자간 인력 때문에 프탈로사이아닌 분자면이 기질에 평행하게 배열됨을 확인하였다. 이러한 기질-평행한 분자 배열은 이웃한 분자 평면 사이의 π-π 커플링을 따라 전하운반체가 전극 쪽으로 이동하는 것을 용이하게 만들어 줌으로써 태양전지 소자 효율을 증가시킨다. 또한 이러한 분자 배열이 입사광의 전기장 벡터와 전이모멘트 벡터를 평행하게 만들고 이에 따라 입사광의 흡수를 극대화할 수 있다. 결과적으로 CuI 중간층이 삽입된 소자의 경우, 중간층이 없는 소자에 비해, 단락전류와 소자효율이 각각 44%와 37% 증가함을 확인하였다. CuBr 중간층의 경우에는 CuI에 비해 단락전류와 소자효율의 증가 폭이 매우 작았고, CuCl 중간층의 경우에는 중간층이 없는 경우에 비해 오히려 소자효율이 감소했는데, 이는 CuBr과 CuCl 쪽으로 갈수록 아연프탈로사이아닌 분자의 배향을 바꾸는 효과가 작고, 최고점유분자오비탈 (HOMO) 에너지 준위가 낮아져서 정공 추출이 어려워지기 때문이다. 서브프탈로사이아닌의 경우에는 할로젠화 구리 중간층 삽입을 통한 단락전류의 증가가 아연프탈로사이아닌에 비해 매우 낮았는데, 이는 서브프탈로사이아닌이 비평면 원뿔형 분자로, 중간층 도입을 통한 분자배향의 변화가 거의 없기 때문이다. 하지만 중간층의 삽입을 통해 적층 구조 사이의 에너지 준위 배열이 좋아져서, 개방전압이 72%까지 증가하였으며, 이에 따라 CuI 중간층이 도입된 소자의 경우 최대 효율 2.90%를 달성하였다. 보다 정량적인 해석을 위해 CuI 중간층 위에 증착되는 아연프탈로사이아닌 박막의 성장 거동을 높이차연관함수 (HDCF) 분석법을 이용하여 연구하였다. HDCF 분석으로부터 얻어진 성장지수 값은 0.26, 비이상지수 값은 0.91로, CuI 중간층 위에서 아연프탈로사이아닌이 전형적인 박막 성장 거동을 따른다는 사실을 알 수 있었다. 이로부터 중간층에 의한 소자효율 향상 요인의 하나인 전자주개-전자받개간 계면 접촉의 증가 가능성은 배제할 수 있었고, 따라서 소자효율의 주요한 원인은 앞서 언급한 바와 같이 분자배향의 변화와 적층 구조의 에너지준위 개선임을 알 수 있었다.

RF magnetron sputtering에서 증착변수가 바륨 페라이트 박막 형성에 미치는 영향에 관한 연구

이진호 포항공과대학 1991 국내석사

몰트만의 성령론 연구 : 삼위일체적 관점에서

이진호 영남신학대학교 신학대학원 2010 국내석사