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2010년
eng
0255-5476
1662-9752
SCOPUS
학술저널
MATERIALS SCIENCE FORUM
929-932 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Defect Control in Growth and Processing of 4H-SiC for Power Device Applications
Experimental Evaluation of Different Passivation Layers on the Performance of 3kV 4H-SiC BJTs