Structural Analysis of Ag Agglomeration in Ag-based Ohmic Contact to p-type GaN

국문 초록 (Abstract)

본 연구에서는 고분해능 X선 회절법을 이용해 Ni/Ag 반사막 p형 오믹 전극의 Ag 집괴에 따른 전극의 구조 분석을 수행하였다. 대기 분위기에서 오믹 전극을 고온 열처리할 경우, 열처리 시간이 증가할수록 Ag의 집괴가 진행되어 24시간 열처리 후, 전류-전압 곡선은 쇼트키 특성을 나타내었고, 또한 460 nm 파장에서 21%의 낮은 반사도를 나타내었다. X선 회절 결과로부터 Ag의 집괴가 진행될수록, Ag 박막의 내부 변형율을 감소되는 방향으로 Ag 원자의 확산이 진행되어, Ag (111) 결정면의 면간 거리가 bulk Ag와 거의 동일하게 나타났다. 이러한 반사막 오믹 전극의 구조 분석은 고출력 고효율 수직형 LED에 적합한 열적 안정성이 우수한 오믹 전극의 개발에 매우 중요함을 알 수 있다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

We investigate the crystallographic orientation and strain states of the Ni/Ag ohmic contacts on p-type GaN. The Ag film in the Ni/Ag contact was severely agglomerated during high temperature annealing in air ambient. As a results, after annealing for 24 h, the Ni/Ag contact shows non-linear I-V curve and low light reflectance of ~21% at 460 nm wavelength. High-resolution X-ray diffraction results show that the interplanar spacing of Ag (111) planes is almost same to that of bilk Ag after annealing for 24 hrs, indicating that the in-plane tensile strain in the Ag film was fully relaxed due to the Ag agglomeration.

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