1 T. Kimoto, 54 : 040103-, 2015
2 A. J. Lelis, 600 : 807-, 2009
3 S. Ryu, 30 : 084001-, 2015
4 H. A. Moghadam, 60 : 1-, 2016
5 E. K. Evangelou, 56 : 399-, 2009
6 H. Hirai, 110 : 152104-, 2017
7 I. Vickridge, 40 : 6254-, 2007
8 L. K. Swanson, 101 : 193501-, 2012
9 P. T. Lai, 76 : 3744-, 2000
10 K. Fukuda, 38 : 2306-, 1999
1 T. Kimoto, 54 : 040103-, 2015
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3 S. Ryu, 30 : 084001-, 2015
4 H. A. Moghadam, 60 : 1-, 2016
5 E. K. Evangelou, 56 : 399-, 2009
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11 W-J. Cho, 20 : 14-, 2002
12 X. Yang, 36 : 312-, 2015
13 Y-C. Yeo, 92 : 7266-, 2002
14 V. V. Afanas'ev, 82 : 568-, 2003
15 K. Matocha, 55 : 1830-, 2008
16 S. C. Heo, 147 : 239-, 2015
17 H. Yochioka, 6 : 105206-, 2016
18 M. Okamoto, 5 : 041302-, 2012
19 Y-C. Byun, 45 : 435305-, 2012
20 D. K. Schroder, "Semiconductor Material and Device Characterization, 3rd ed" John Wiley and Sons 2006
21 문정현, "Improved 4H-SiC Metal Oxide Semiconductor Interface Produced by Using an Oxidized SiN Gate Oxide That Had Undergone Post-oxidation Annealing" 한국물리학회 64 (64): 1363-1369, 2014