CdSe 단결정에서 Cd Vacancy Defect가 Photoconductivity에 미치는 영향(Ⅰ) = The Effect of Cd Vacancy Defect on the Photoconductivity in a CdSe Single Crystal(Ⅰ)

국문 초록 (Abstract)

육방정의 CdSe를 적당한 크기로 잘라 Ga, Cd, Se 및 Cu 증기에서 각각 열처리 하였다. 이와 같이 열처리한 시료들의 광전류를 400nm에서 1800nm까지 온도의 함수로 측정하고 V_cd의 역할을 비교 연구하였다.
Van der Pauw 방법을 사용해서 이동도를 온도의 함수로 측정하였다. 그결과 150 K에서 300 K까지 사이에서는 ∼T^(-3/2)에 따라 감소하고 30 K에서 150 K 사이는 이동도가 약간 증가의 경향임을 알게 되었다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

A hexagonal CdSe crystal was cut into four portions, each to be annealed in a different vapor of Ga, Cd, Se or Cu at a temperature of 100℃, 750℃, 900℃, or 900℃, respectively.
Photocurrents were measured as a function of temperature on the annealed samples in the wavelength range of 400 nm to 1800 nm.
The role of V_Cd in the four samples was compared and studied.
Mobility measurement was performed as a function of temperature using Van der Pauw's method. As a result of this, it was found that mobility decreases as T^(-3/2)in the temperature range of 150 K to 300 K, whereas having a slope of slight increase in the range of 30K to 150K.