http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
https://www.riss.kr/link?id=O11913262
1999년
-
0018-9383
1557-9646
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES ED
125-133 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
0
상세조회0
다운로드
On-State and Off-State Breakdown in GaInAs/InP Composite-Channel HEMT's with Variable GaInAs
Influence of Surface Recombination on the Burn-In Effect in Microwave GaInP/GaAs HBT's
A 63-170 HGz Second-Harmonic Operation of an InP Transferred Electron Device
Enhancement of High-Temperature High-Frequency Performance of GaAs-Based FET's by the