1 C. K. Chan, 8 : 307-, 2008
2 S. Peak, 9 : 72-, 2009
3 X. W. Lou, 18 : 2325-, 2006
4 H. Zhang, 21 : 1-, 2009
5 J. C. Park, 21 : 803-, 2009
6 J. Seo, 20 : 4269-, 2008
7 Y. J. Kwon, 1109 : 2008
8 J. Chen, 20 : 566-, 2008
9 J. Hassoun, 20 : 3169-, 2008
10 G. cui, 20 : 3079-, 2008
1 C. K. Chan, 8 : 307-, 2008
2 S. Peak, 9 : 72-, 2009
3 X. W. Lou, 18 : 2325-, 2006
4 H. Zhang, 21 : 1-, 2009
5 J. C. Park, 21 : 803-, 2009
6 J. Seo, 20 : 4269-, 2008
7 Y. J. Kwon, 1109 : 2008
8 J. Chen, 20 : 566-, 2008
9 J. Hassoun, 20 : 3169-, 2008
10 G. cui, 20 : 3079-, 2008
11 L. Shi, 11 : 1502-, 2001
12 K. T. Nam, 312 : 885-, 2006
13 Y. S. Jung, 52 : 7061-, 2007
14 W. Zhang, 20 : 1160-, 2008
15 유제혁, "Li[Ni0.2Li0.2Mn0.6]O₂ 양극물질의 Ag 도핑(Doping) 효과" 한국전기전자재료학회 21 (21): 249-254, 2008
16 박용준, "Li[Co0.50Li0.17Mn0.33]O2 양극물질의 고율 충방전 특성" 한국전기전자재료학회 19 (19): 737-743, 2006