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      NOR Flash를 위한 하프늄 옥사이드 기반 비휘발성 메모리 소자에서의 사파이어 기판을 통한 Self-heating Effect 및 Retention 개선

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      참고문헌 (Reference)

      1 송영서, "역전파 알고리즘을 이용한 대한민국 국민연금 고갈 시기 예측 연구" 대한전자공학회 57 (57): 37-44, 2020

      2 Y. S. Song, "Tunneling oxide engineering for improving retention in nonvolatile charge-trapping memory with TaN/Al2O3/HfO2/SiO2/Al2O3/SiO2/Si structure" 59 (59): 061006-1-061006-7, 2020

      3 G. Darbandy, "Temperature dependent compact modeling of gate tunneling leakage current in double gate MOSFETs" 81 : 124-129, 2013

      4 Y. Choi, "Simulation of the effect of parasitic channel height on characteristics of stacked gate-all-around nanosheet FET" 164 : 107686-, 2020

      5 F. Driussi, "Simulation Study of the Trapping Properties of HfO2-Based Charge-Trap Memory Cells" 61 (61): 2056-2063, 2014

      6 S. M. Amoroso, "Semi-Analytical Model for the Transient Operation of Gate-All-Around Charge-Trap Memories" 58 (58): 3116-3123, 2011

      7 E. Bury, "Self-heating in FinFET and GAA-NW using Si, Ge and III/V channels" 6 : 15.6.1-15.6.4, 2016

      8 A. Altland, "SYK non Fermi Liquid Correlations in Nanoscopic Quantum Transport" 123 : 2019

      9 I. Fiorello, "Rose-Inspired Micro-device with Variable Stiffness for Remotely Controlled Release of Objects in Robotics" 122-133, 2019

      10 Y. S. Song, "Radius Scaling of Silicon-Based Nanowire Tunnel FET with Gate Dielectric Modulation" 85-87, 2018

      1 송영서, "역전파 알고리즘을 이용한 대한민국 국민연금 고갈 시기 예측 연구" 대한전자공학회 57 (57): 37-44, 2020

      2 Y. S. Song, "Tunneling oxide engineering for improving retention in nonvolatile charge-trapping memory with TaN/Al2O3/HfO2/SiO2/Al2O3/SiO2/Si structure" 59 (59): 061006-1-061006-7, 2020

      3 G. Darbandy, "Temperature dependent compact modeling of gate tunneling leakage current in double gate MOSFETs" 81 : 124-129, 2013

      4 Y. Choi, "Simulation of the effect of parasitic channel height on characteristics of stacked gate-all-around nanosheet FET" 164 : 107686-, 2020

      5 F. Driussi, "Simulation Study of the Trapping Properties of HfO2-Based Charge-Trap Memory Cells" 61 (61): 2056-2063, 2014

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      7 E. Bury, "Self-heating in FinFET and GAA-NW using Si, Ge and III/V channels" 6 : 15.6.1-15.6.4, 2016

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      9 I. Fiorello, "Rose-Inspired Micro-device with Variable Stiffness for Remotely Controlled Release of Objects in Robotics" 122-133, 2019

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      11 C. -C. Lin, "Performance enhancement of metal-oxide-semiconductor tunneling temperature sensors with nanoscale oxides by employing ultrathin Al2O3 high-k dielectrics" 5 : 8090-8097, 2013

      12 T. Kim, "Overflow Handling Integrate-and-Fire Silicon-on-Insulator Neuron Circuit Incorporating a Schmitt Trigger Implemented by Back-Gate Effect" 19 (19): 6183-6186, 2019

      13 J. Yu, "Investigation of Ambipolar Current Suppression Using Dual Work Function Metal Gate in L-Shaped Tunnel Field Effect Transistor" 52-53, 2019

      14 T. Kim, "Input-modulating adaptive neuron circuit employing asymmetric floating-gate MOSFET with two independent control gates" 163 : 2020

      15 T. Kim, "Input-modulating adaptive neuron circuit employing asymmetric floating-gate MOSFET with two independent control gates" 163 : 2020

      16 K. Wang, "Impact of self-heating effect on the retention of 3-D NAND flash memory" 1-4, 2017

      17 S. Madden, "From Databases to Big Data" 16 (16): 4-6, 2012

      18 H. Kim, "Evolution of NAND Flash Memory : From 2D to 3D as a Storage Market Leader" 1-4, 2017

      19 Y. S. Song, "Electrical and Thermal Performances of Omega-Shaped-Gate Nanowire Field Effect Transistors for Low Power Operation" 20 (20): 4092-4096, 2020

      20 S. Shin, "Direct Observation of Self-Heating in III–V Gate-All-Around Nanowire MOSFETs" 62 (62): 3516-3523, 2015

      21 I. Myeong, "Analysis of Self Heating Effect in DC/AC Mode in Multi-Channel GAA-Field-Effect Transistor" 66 (66): 4631-4637, 2019

      22 J. H. Kim, "Analysis of Current Variation with Work Function Variation in L-Shaped Tunnel-Field Effect Transistor" 11 (11): 780-789, 2020

      23 Y. Kim, "An Area Efficient Adaptive Neuron Circuit Exploiting Tunnel Field-Effect Transistor" 71-73, 2019

      24 A. Gupta, "A Survey of 5G Network : Architecture and Emerging Technologies" 3 : 1206-1232, 2015

      25 김현우, "3 nm Node Nanoplate-FET에서 Self-heating Effect의 완화 방법" 대한전자공학회 57 (57): 21-26, 2020

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      2014-12-11 학술지명변경 외국어명 : journal of The Institute of Electronics Engineers of Korea -> Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers KCI등재
      2014-01-21 학회명변경 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers KCI등재
      2011-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2009-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2007-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2005-10-17 학술지명변경 한글명 : 대한전자공학회 논문지 -> 전자공학회논문지 KCI등재
      2005-05-27 학술지등록 한글명 : 대한전자공학회 논문지
      외국어명 : journal of The Institute of Electronics Engineers of Korea
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      2005-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2002-07-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
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      2016 0.27 0.27 0.25
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.22 0.19 0.427 0.09
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