RISS 검색 - 해외학술지논문 상세보기

다국어 입력

あぁかがさざただなはばぱまやゃらわゎんいぃきぎしじちぢにひびぴみりうぅくぐすずつづっぬふぶぷむゆゅるえぇけげせぜてでねへべぺめれおぉこごそぞとどのほぼぽもよょろを

アァカサザタダナハバパマヤャラワヮンイィキギシジチヂニヒビピミリウゥクグスズツヅッヌフブプムユュルエェケゲセゼテデヘベペメレオォコゴソゾトドノホボポモヨョロヲ ―

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)

ㅥ ㅦ ㅧ ㅨ ㅩ ㅪ ㅫ ㅬ ㅭ ㅮ ㅯ ㅰ ㅱ ㅲ ㅳ ㅴ ㅵ ㅶ ㅷ ㅸ ㅹ ㅺ ㅻ ㅼ ㅽ ㅾ ㅿ ㆀ ㆁ ㆂ ㆃ ㆄ ㆅ ㆆ ㆇ ㆈ ㆉ ㆊ ㆋ ㆌ ㆍ ㆎ

Α Β Γ Δ Ε Ζ Η Θ Ι Κ Λ Μ Ν Ξ Ο Π Ρ Σ Τ Υ Φ Χ Ψ Ω α β γ δ ε ζ η θ ι κ λ μ ν ξ ο π ρ σ τ υ φ χ ψ ω

á à Á À é è É È ç Ç ê

Ä Ö Ü ä ö ü ß

‘ ’ “ ” 〔〕〈〉「」『』【】＂（）［］｛｝

± × ÷ ≠ ≤ ≥ ∞ ∴ ♂ ♀ ∠ ⊥ ⌒ ∂ ∇ ≡ ≒ ≪ ≫ √ ∽ ∝ ∵ ∫ ∬ ∈ ∋ ⊆ ⊇ ⊂ ⊃ ∪ ∩ ∧ ∨ ￢ ⇒ ⇔ ∀ ∃ ∮ ∑ ∏ ＋－＜＝＞

、。 · ‥ … ¨ 〃 ― ∥ ＼ ∼ ´ ～ ˇ ˘ ˝ ˚ ˙ ¸ ˛ ¡ ¿ ː ！＇，．／：；？＾＿｀｜

½ ⅓ ⅔ ¼ ¾ ⅛ ⅜ ⅝ ⅞ ¹ ² ³ ⁴ ⁿ ₁ ₂ ₃ ₄

Æ Ð Ħ Ĳ Ł Ø Œ Þ Ŧ Ŋ æ đ ð ħ ı ĳ ĸ ŀ ł ø œ ß þ ŧ ŋ ŉ

А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я а б в г д е ё ж з и й к л м н о п р с т у ф х ц ч ш щ ъ ы ь э ю я

′ ″ ℃ Å ￠￡￥ ¤ ℉ ‰ ＄％Ｆ￦㎕㎖㎗ ℓ ㎘㏄㎣㎤㎥㎦㎙㎚㎛㎜㎝㎞㎟㎠㎡㎢㏊㎍㎎㎏㏏㎈㎉㏈㎧㎨㎰㎱㎲㎳㎴㎵㎶㎷㎸㎹㎀㎁㎂㎃㎄㎺㎻㎽㎾㎿㎐㎑㎒㎓㎔ Ω ㏀㏁㎊㎋㎌㏖㏅㎭㎮㎯㏛㎩㎪㎫㎬㏝㏐㏓㏃㏉㏜㏆

§ ※ ☆ ★ ○ ● ◎ ◇ ◆ □ ■ △ ▽ → ← ↑ ↓ ↔ 〓 ◁ ◀ ▷ ▶ ♤ ♠ ♡ ♥ ♧ ♣ ⊙ ◈ ▣ ◐ ◑ ▒ ▤ ▥ ▨ ▧ ▦ ▩ ♨ ☏ ☎ ☜ ☞ ¶ † ‡ ↕ ↗ ↙ ↖ ↘ ♭ ♩ ♪ ♬ ㉿㈜ № ㏇ ™ ㏂㏘ ℡ ＃＆＊＠ ª º

ⅰ ⅱ ⅲ ⅳ ⅴ ⅵ ⅶ ⅷ ⅸ ⅹ Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ Ⅶ Ⅷ Ⅸ Ⅹ

ا ب ت ث ج ح خ د ذ ر ز س ش ص ض ط ظ ع غ ف ق ک ل م ن ه و ی

RISS 인기검색어

한글로보기

https://www.riss.kr/link?id=O33342368

A Novel InGaP/InGaAs/GaAs Double delta-Doped pHEMT With Camel-Like Gate Structure
- Institute of Electrical and Electronics Engineers
- Tsai, J.-H.
- 2003
- SCI;SCIE;SCOPUS
Explanation of Anomalously High Current Gain Observed in GaN Based Bipolar Transistors
- Institute of Electrical and Electronics Engineers
- Xing, H.; Jena, D.; Rodwell, M. J. W.; Mishra, U. K.
- 2003
- SCI;SCIE;SCOPUS
Innovative Nitride Passivated Pseudomorphic GaAs HEMTs
- Institute of Electrical and Electronics Engineers
- Chou, Y. C.; Lai, R.; Li, G. P.; Hua, J.; Nam, P.; Grundbacher, R.; Kim, H. K.; Ra, Y.; Biedenbender, M.; Ahlers, E.
- 2003
- SCI;SCIE;SCOPUS
A Gate-Charging Model for ILD Related Plasma Processes in MOSFETs
- Institute of Electrical and Electronics Engineers
- Lin, W.; Sery, G.
- 2003
- SCI;SCIE;SCOPUS