산업진흥기술 : IGZO 박막 증착 후 진공과 대기 중에서 열처리한 후 결합구조와 전기적인 특성의 비교 = Industrial Promotion of Technology : Comparison between the Electrical Properties and Structures after Atmosphere Annealing and Vacuum Annealing of IGZO Thin Films

국문 초록 (Abstract)

IGZO의 접합특성을 조사하기 위해서 진공 중에서와 대기 중에서 열처리를 하여, 전지적인 특성을 조사하였다. 진공 중에서 열처리를 한 IGZO는 비정질특성을 나타내었지만 대기 중에서 열처리를 하면 결정질 특성을 가졌다. 열처하는 방법에 따라서 산소공공의 함량이 달라지기 때문이다. 대기 중에서 열처리를 하면 IGZO의 산소공공이 증가하였다. 산소공공은 전류를 증가시키고 따라서 대기 중에서 열처리를 한 IGZO는 오믹 접합을 나타내었다. 그러나 진공 중에서 열처리를 한 IGZO는 쇼키접합을 나타냈다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

It was the electrical properties of IGZO prepared by the annealing in a vaccum and an atmosphere conditions to research the current-voltage characteristics. The IGZO film annealed in a vaccum became an amorphous structure but films annealed in an atmosphere condition had a crystal structure. Because of the content of oxygen vacancies during the annealing processes was changed, and the annealing in an atmosphere condition increased the oxygen vacancy in IGZO. Oxygen vacancy in IGZO increased the current and then it was observed the Ohmic contact at IGZO annealed in an atmosphere conditions. However, the IGZO prepared in a vaccum showed the Schottky contact.