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K. Inoue ; K. Furuno ; H. Kato ; N. Tamura ; K. Hikazutani ; S. Sano ; T. Hattori
2001년
eng
0021-4922
1347-4065
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters & Express Letters
L539-L541 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Deep-Level Transient Spectroscopy Detection of Iron in Hydrogenated p^+ Silicon
Interface Roughness Produced by Nitrogen Atom Incorporation at a SiO~2/Si(100) Interface