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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      ETRI 0.5um 공정을 이용한 6T SRAM 및 8T SRAM 설계 및 분석

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      https://www.riss.kr/link?id=A109203399

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      In this study, we designed 6T and 8T SRAM cells using ETRIs 0.5μm technology, which are fundamentally utilized in the advancement of in-memory computing. We conduct analysis of the electrical characteristics and overall performance of these SRAM cells. Specifically, we experimentally evaluate various performance metrics such as Static Voltage Noise Margin (SVNM), Word line Write Trip Voltage (WWTV), and read/write delay as well as power consumption.
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      In this study, we designed 6T and 8T SRAM cells using ETRIs 0.5μm technology, which are fundamentally utilized in the advancement of in-memory computing. We conduct analysis of the electrical characteristics and overall performance of these SRAM cell...

      In this study, we designed 6T and 8T SRAM cells using ETRIs 0.5μm technology, which are fundamentally utilized in the advancement of in-memory computing. We conduct analysis of the electrical characteristics and overall performance of these SRAM cells. Specifically, we experimentally evaluate various performance metrics such as Static Voltage Noise Margin (SVNM), Word line Write Trip Voltage (WWTV), and read/write delay as well as power consumption.

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