주파수 특성이 좋은 광대역 마이크로웨이브 증폭기의 설계 = Design of wide Band Microwave Amplifier with Good Frequncy Characteristics

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

The new structure method of GaAs microwave amplifiers using DC block function and impedance transforming property of DC block/transformer(non-symmetrical two - microstrip coupled line and interdigital three - microstrip coupled line), instead of chip capacitor, is presented. The newly structured microwave amplifier showed wideband characteristics(bandwidth, 3.5 GHz) and flat frequency response. Interdigital three - microstrip coupled line which is used for microwave amplifier can be used to match amplifiers as well as DC blocking.

국문 초록 (Abstract)

GaAs FET초고주파 증폭기의 DC 블럭용으로 사용되는 칩 커페시터 대신 DC블럭 및 임피던스 변환 성질을 가진 DC block/transformer(비대칭 2선 마이크로스트립 선로 및 까지낀 3선 마이크로스트립 선로)를 사용한 초고주파 증폭기의 새로운 구성 방법을 제시하였다. 새로운 구성을 갖는 초고주파 증폭기의 대역 특성은 평탄하며 대역폭이 3.5(BHz)인 광대역 특성을 얻으 수 있었다. 초고주파 증폭기에 사용된 깍지낀 3선 마이크로스트리 결합 선로는 DC블럭 기능과 함께 임피던스 정합 역할을 할 수 있는 큰 장점을 가지고 있다.