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      Fatigue problems in SrBi_2Ta_2O_9 and Bi_4Ti_3O_12 thin films applicable to ferroelectric random access memories (FRAMs) = 강유전체 메모리에 응용될 수 있는 SrBi_2Ta_2O_9박막과 Bi_4Ti3O_12박막에서의 피로현상

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      https://www.riss.kr/link?id=A19594361

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      Fatigue problems were investigated for thin films of ferroelectric Bi-layered perovskite materials, that is, SrBi_2Ta_2O_9 and Bi_4Ti_3O_12. The bulk samples of the materials were sintered by solid reaction methods using constituent powders. Using the...

      Fatigue problems were investigated for thin films of ferroelectric Bi-layered perovskite materials, that is, SrBi_2Ta_2O_9 and Bi_4Ti_3O_12. The bulk samples of the materials were sintered by solid reaction methods using constituent powders. Using the bulks as target materials, thin films were grown on various substrates by pulsed laser deposition methods. Many analytical methods were performed in order to find out the mechanism of imprint and fatigue problems in such thin films.

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