1 T. Sameshima, 28 : 1789-, 1989
2 Guozhen Yue, 75 : 492-, 1999
3 H. Ohshima, 53 (53): 03CA01-, 2014
4 D. Song, 513 : 356-, 2006
5 U. K. Das, 80 : 5389-, 1996
6 M. Miyasaka, 86 : 5556-, 1999
7 R. Kakkad, 65 : 2069-, 1989
8 T. Pier, 354 : 2300-, 2008
9 K.C. Park, 299–302 : 1330-, 2002
10 K. Nakazawa, 69 : 1703-, 1991
1 T. Sameshima, 28 : 1789-, 1989
2 Guozhen Yue, 75 : 492-, 1999
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11 T. B. Peters, 6 : 482-, 1985
12 R. A. McMahon, 56 (56): 1257-, 1985
13 H. Ishiwara, 23 : 1065-, 1984
14 A. G. Gullis, 48 : 1155-, 1985
15 Y.J. Jo, 11 : S143-, 2011
16 J. Jang, 24 : 78-, 2003
17 Q. Cheng, 20 : 215606-, 2009
18 Chang Woo Byun, "High Performance Low Temperature Polycrystalline Si Thin-Film Transistors Fabricated by Silicide Seed-Induced Lateral Crystallization" 대한금속·재료학회 8 (8): 251-258, 2012
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20 김성현, "Effects of the Al2O3 interlayer in ZnO thin-film transistors fabricated via atomic layer deposition" 한국정보디스플레이학회 14 (14): 61-65, 2013