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2013년
eng
0268-1242
1361-6641
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
045018 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Capacitor-less memory cell fabricated on nano-scale strained Si on a relaxed SiGe layer-on-insulator
Procedure to derive analytical models for microwave noise performance of Si/SiGe:C and InP