DLC 박막의 열처리를 통한 나노결정다이아몬드의 성장에 대한 연구

국문 초록 (Abstract)

철(Fe)이 증착된 p-type Si(100) 기판 위에 RF-PECVD법으로 메탄 기체를 주입하며 DLC 박막을 증착 시킨 후, 아르곤 기체 분위기의 열 반응로에서 이 기판을 열처리하여 나노결정다이아몬드를 성장시켰다.
나노결정다이아몬드 박막의 표면 형태와 결정의 크기는 전계방출주사현미경(Field Emission-Scanning Electromic Microscope, FE-SEM)으로, 표면의 거칠기는 원자력 현미경(Atomic Force Microsope, AFM)으로 관찰하였으며 결정성은 X-선 회절기(X-Ray Diffractometer, XRD)와 라만분광기(Ramanspectrometer)를 이용하여 분석하였다.
Fe가 증착된 실리콘 기판에 DLC 박막의 두께를 100 nm가 되게 증착하여 800 ℃로 60 분간 열처리 하였을 때 상대적으로 좋은 나노결정다이아몬드가 성장되었다. 나노결정다이아몬드의 성장에 있어서 촉매금속은 핵생성에 영향을 주며, DLC 박막은 탄소를 공급함을 알 수 있었다.

목차 (Table of Contents)

• Ⅰ. 서 론 1
• Ⅱ. 이 론 2
• 1. Diamond-Like Carbon(DLC) 박막 2
• 2. 다이아몬드의 성장 방법 및 특성 3
• 3. X-선 회절 (X-ray diffraction) 4
• 4. 라만 분광 (Raman spectroscopy) 5
• Ⅲ. 실험방법 8
• 1. 실리콘(Si) 웨이퍼의 전처리 과정 8
• 2. RF-PECVD 장비를 이용한 DLC 박막 증착 10
• 3. 열처리에 따른 나노결정다이아몬드의 성장 11
• Ⅳ. 실험결과 14
• Ⅴ. 결 론 30
• 참고문헌 31