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      나노 사이즈의 Ag dot을 성막한 ITO 애노드의 오존처리에 의한 유기발광소자의 홀 주입 특성 향상 = Enhancement of Hole Injection in Organic Light Emitting Device by using Ozone Treated Ag Nanodots Dispersed on ITO Anode

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      https://www.riss.kr/link?id=A101055655

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      We report the enhancement of hole injection using ozone-treated Ag nanodots dispersed on indium tin oxide anode in $Ir(ppy)_3-doped$ phosphorescent OLED. Phosphorescent OLED fabricated on Ag nanodots dispersed ITO anode showed a lower turn on voltage ...

      We report the enhancement of hole injection using ozone-treated Ag nanodots dispersed on indium tin oxide anode in $Ir(ppy)_3-doped$ phosphorescent OLED. Phosphorescent OLED fabricated on Ag nanodots dispersed ITO anode showed a lower turn on voltage and higher luminescence than those of OLEDS prepared commercial ITO anode. Synchrotron x-ray scattering examination results showed that the Ag nanodots dispersed on ITO anode is amorphous structure due to low deposition temperature. It was thought that decrease of the energy barrier height as Ag nanodots changed to $AgO_x$ nanodots by surface treatment using ozone for 10 min led to enhancement of hole injection in phosphorescent OLED. Futhermore, efficient hole injection can be explained by increase of contact region between anode material and organic material through introduction of $Ag_2O$ nanodots.

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      참고문헌 (Reference)

      1 "유기 디스플레이 소자를 위한 Self assembled monolayer의 표면개질을 이용한 ITO의 일함수 증가" 19 (19): 563-, 2006.

      2 "Transparent Conducting Oxides" 15-, 2006.

      3 "Top- emitting organic light-emitting devices using surface-modified Ag anode" 83 : 5127-, 2003.

      4 "Surface modification of indium tin oxide by plasma treatment An effective method to improve the efficiency and reliability of organic light emitting devices" 70 : 1348-, 1997.

      5 "Relation between an atomic electronegativity scale and the work function" 22 : 72-, 1978.

      6 "Reduced operating voltage of organic electro- luminescent devices by plasma treatment of the indium tin oxide anode" 74 : 3558-, 1999.

      7 "Plasma preparation on indium-tin oxide anode surface for organic light emitting diodes" 260 : 186-, 2004.

      8 "Indium tin oxide thin films for organic light-emitting devices" 74 : 3444-, 1999.

      9 "Enhanced hole injections in organic light- emitting devices by depositing nickel oxide on indium tin oxide anode" 81 : 1899-, 2002.

      10 "Electronic structure of Ag2O" 41 : 3190-, 1990.

      1 "유기 디스플레이 소자를 위한 Self assembled monolayer의 표면개질을 이용한 ITO의 일함수 증가" 19 (19): 563-, 2006.

      2 "Transparent Conducting Oxides" 15-, 2006.

      3 "Top- emitting organic light-emitting devices using surface-modified Ag anode" 83 : 5127-, 2003.

      4 "Surface modification of indium tin oxide by plasma treatment An effective method to improve the efficiency and reliability of organic light emitting devices" 70 : 1348-, 1997.

      5 "Relation between an atomic electronegativity scale and the work function" 22 : 72-, 1978.

      6 "Reduced operating voltage of organic electro- luminescent devices by plasma treatment of the indium tin oxide anode" 74 : 3558-, 1999.

      7 "Plasma preparation on indium-tin oxide anode surface for organic light emitting diodes" 260 : 186-, 2004.

      8 "Indium tin oxide thin films for organic light-emitting devices" 74 : 3444-, 1999.

      9 "Enhanced hole injections in organic light- emitting devices by depositing nickel oxide on indium tin oxide anode" 81 : 1899-, 2002.

      10 "Electronic structure of Ag2O" 41 : 3190-, 1990.

      11 "Electronic structure of Ag2O" 41 : 3190-, 1990.

      12 "Electrical and optical properties of reactive DC magnetron sputtered silver oxide thin films role of oxygen" 429 : 129-, 2003.

      13 "Effect of ultraviolet-ozone treatment of indium-tin-oxide on electrical properties of organic light emitting diodes" 95 : 2560-, 2004.

      14 "Characterization of treated indium-tin- oxide surfaces used in electroluminescent devices" 86 : 1688-, 1999.

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      2010-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2008-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2006-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2005-05-30 학회명변경 영문명 : 미등록 -> The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers KCI등재
      2004-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2001-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      1998-07-01 평가 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
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      0.14 0.14 0.247 0.06
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