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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      Effect of Plasma Treatment on the Performance of a Thin-Film Transistor Made of Poly-Si by Using Ni-Mediated Crystallization

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      https://www.riss.kr/link?id=A104326935

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      We have studied the effect of H2 plasma treatment on the performance of a poly-Si thin-film
      transistor (TFT) made by using metal-induced crystallization of amorphous silicon through a
      cap layer (MICC). The p-channel poly-Si TFT made by using H2-plasma treatment of the MICC
      poly-Si exhibited a field-effect mobility of 91.5 cm2/Vs, a threshold voltage of .2.1 V, and gate
      voltage swing of 0.5 V/decade. The plasma treatment reduced the surface roughness from 16.7
      °A
      to 9.5 °A and the grain boundary traps significantly.
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      We have studied the effect of H2 plasma treatment on the performance of a poly-Si thin-film transistor (TFT) made by using metal-induced crystallization of amorphous silicon through a cap layer (MICC). The p-channel poly-Si TFT made by using H2-plasma...

      We have studied the effect of H2 plasma treatment on the performance of a poly-Si thin-film
      transistor (TFT) made by using metal-induced crystallization of amorphous silicon through a
      cap layer (MICC). The p-channel poly-Si TFT made by using H2-plasma treatment of the MICC
      poly-Si exhibited a field-effect mobility of 91.5 cm2/Vs, a threshold voltage of .2.1 V, and gate
      voltage swing of 0.5 V/decade. The plasma treatment reduced the surface roughness from 16.7
      °A
      to 9.5 °A and the grain boundary traps significantly.

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      학술지 인용정보

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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.47 0.15 0.31
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.26 0.2 0.26 0.03
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