PTC BaTiO₃grain의 저항과 용량특성 = The resistance and capacitance chracteristics of grain in PTC BaTiO₃

국문 초록 (Abstract)

소결된 티탄산 바륨은 PTCR 특성을 가지며 이러만 특성은 입계에서 나타나는 효과에 의한 현상이라고 받아들여져 왔다. 본 연구에서는 bulk 저항, 입계저항, 입계정전용량 등이 소결온도에 따라 영향을 받는 것을 조사하였다. 이러한 조사를 통하여 입계에서의 전위장벽과 전하량을 구하였다. PTCR 효과늘 입계 저항에 의하여 일어나며 bulk 저항은 n-type 반도체의 특성을 가진다는 것을 확인하였으며 입계에서의 전하량의 특성을 조사하여 입계에 서로 다른 domain pattern이 있다는 것을 학인하였다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Barium titanate ceramics have PTCR(Positive Temperature Coefficient Resistance) behavior. It has been established that PTCR phenomenon is caused by grain boundary effects. In this study, it is investigated that bulk resistivity, grain boundary resistivity, and grain boundary capacitance were affacted by sintering conditions. From these parameters, built-in potential and charge density in the grain boundary were obtained. We certify that PTCR effect is caused by the grain boundary resistive effect and bulk resistance has n-type semiconductor characteristics. The characteristics of charge density in the grain boundary shows that different domain patterns exist at grain boundaries.