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      Effect of Bottom Electrode Size on Ovonic Threshold Switch(OTS) Characteristics

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      https://www.riss.kr/link?id=A106592806

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      In this paper, Effect of bottom electrode size on Ovonic Threshold Switch(OTS) characteristics has been investigated in W/SiTe/W selector device. We fabricated SiTe Ovonic Threshold Switch(OTS) with different bottom electrode contact totally 18 sizes ...

      In this paper, Effect of bottom electrode size on Ovonic Threshold Switch(OTS) characteristics has been investigated in W/SiTe/W selector device. We fabricated SiTe Ovonic Threshold Switch(OTS) with different bottom electrode contact totally 18 sizes (34 nm - 1921 nm) and studied the differences in the bottom electrode size I-V characteristics. Ovonic Threshold Switch(OTS) device showed on/off ratio (> ) and the difference in value between 218 nm and 1414 nm size.

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      참고문헌 (Reference)

      1 Govoreanu, Bogdan, "Thermally stable integrated Se-based OTS selectors with> 20MA/cm 2 current drive,> 3.10 3 half-bias nonlinearity, tunable threshold voltage and excellent endurance" IEEE T92-T93, 2017

      2 Koo, Yunmo, "Simple binary Ovonic threshold switching material SiTe and its excellent selector performance for high-density memory array application" 38 (38): 568-571, 2017

      3 Wong, H-S. Philip, "Phase change memory" 98 (98): 2201-2227, 2010

      4 Aluguri, Rakesh, "Overview of selector devices for 3-D stackable cross point RRAM arrays" 4 (4): 294-306, 2016

      5 Manivannan, Anbarasu, "Low power ovonic threshold switching characteristics of thin GeTe6films using conductive atomic force microscopy" 105 : 243501-, 2014

      6 Ovshinsky, Stanford R, "Amorphous semiconductors for switching, memory, and imaging applications" 20 (20): 91-105, 1973

      1 Govoreanu, Bogdan, "Thermally stable integrated Se-based OTS selectors with> 20MA/cm 2 current drive,> 3.10 3 half-bias nonlinearity, tunable threshold voltage and excellent endurance" IEEE T92-T93, 2017

      2 Koo, Yunmo, "Simple binary Ovonic threshold switching material SiTe and its excellent selector performance for high-density memory array application" 38 (38): 568-571, 2017

      3 Wong, H-S. Philip, "Phase change memory" 98 (98): 2201-2227, 2010

      4 Aluguri, Rakesh, "Overview of selector devices for 3-D stackable cross point RRAM arrays" 4 (4): 294-306, 2016

      5 Manivannan, Anbarasu, "Low power ovonic threshold switching characteristics of thin GeTe6films using conductive atomic force microscopy" 105 : 243501-, 2014

      6 Ovshinsky, Stanford R, "Amorphous semiconductors for switching, memory, and imaging applications" 20 (20): 91-105, 1973

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      2020-01-01 평가 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) KCI등재
      2014-01-21 학회명변경 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers KCI등재
      2010-11-25 학술지명변경 한글명 : JOURNAL OF SEMICONDUTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE -> JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE KCI등재
      2010-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      2009-01-01 평가 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) KCI등재후보
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      학술지 인용정보

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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.42 0.13 0.35
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.3 0.29 0.308 0.03
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