박막성장을 위한 초고진공 응용시스템을 제작하고 이것의 특성을 사중극질량분석계로 측정하였다. 초고진공 시스템을 박막성장에 활용하기 위해서는 챔버 뿐만 아니라 펌프, 이온게이지, ...
http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
https://www.riss.kr/link?id=A106429044
1994
Korean
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
학술저널
173-178(6쪽)
0
상세조회0
다운로드국문 초록 (Abstract)
박막성장을 위한 초고진공 응용시스템을 제작하고 이것의 특성을 사중극질량분석계로 측정하였다. 초고진공 시스템을 박막성장에 활용하기 위해서는 챔버 뿐만 아니라 펌프, 이온게이지, ...
박막성장을 위한 초고진공 응용시스템을 제작하고 이것의 특성을 사중극질량분석계로 측정하였다. 초고진공 시스템을 박막성장에 활용하기 위해서는 챔버 뿐만 아니라 펌프, 이온게이지, 전자총 등도 베이킹이 요구되었다. 또한 이온게이지와 전자총은 적어도 박막성장 20분 전에 탈가스를 하여야함을 알았다. 이 시스템으로 달성된 진공도는 7×10^(-11) torr이었다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
An ultra high vacuum application system for growing thin film has been fabricated, and characteristics of the system have been measured by quadrupole mass spectrometer. Pumps, ion gage, electron gun as well as main chamber in order to use the system f...
An ultra high vacuum application system for growing thin film has been fabricated, and characteristics of the system have been measured by quadrupole mass spectrometer. Pumps, ion gage, electron gun as well as main chamber in order to use the system for thin film growth have to be baked. And also, Ion gage and electron gun must be degassed during at least 20 min before growing thin film. An ultra high vacuum of 7×10^(-11) torr was achieved using the system.
목차 (Table of Contents)
Synchrotron Radiation Induced Photochemical Reactions for Semiconductor Processes
Electrohydrodynamic Treatment of the Shape and Stability of Liquid Metal Ion Sources
스퍼터링 챔버에 설치한 in - situ 타원해석기의 성능평가
RF 용량결합 플라즈마 발생장치에서 입자오염이 플라즈마 물성에 미치는 영향