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      MOSFET 동기정류회로의 특성 고찰  :  S.M.P.S.에서 In S.M.P.S. = An Investigation of the Characteristics of MOSFET Synchronous Rectification Circuit

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      To improve the rectification efficiency, designed S.M.P.S. were fabricated by replacing diodes with power MOSFETs. The characteristics between these S.M.P.S. and existing diode-type S.M.P.S. at a load of 2.5［A］and 5［A］ were compared. The resul...

      To improve the rectification efficiency, designed S.M.P.S. were fabricated by replacing diodes with power MOSFETs. The characteristics between these S.M.P.S. and existing diode-type S.M.P.S. at a load of 2.5［A］and 5［A］ were compared. The results represent that independent synchronous gate-driven half bridge MOSFET rectifier obtaines a little increased total rectification efficiency, that is, increased 4.84% at a load of 2.5［A］ and 1.55% at a load of 5［A] and self synchronous gate-driven flyback MOSFET retifier obstaines a little incerased total rectification efficiency, that is, increased 2.49% at a load of 2.5［A］ and 3.47% at a load of 5［A］, than diode-type S.M.P.S..

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