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RISSTo improve the rectification efficiency, designed S.M.P.S. were fabricated by replacing diodes with power MOSFETs. The characteristics between these S.M.P.S. and existing diode-type S.M.P.S. at a load of 2.5［A］and 5［A］ were compared. The resul...
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MOSFET 동기정류회로의 특성 고찰 : S.M.P.S.에서 In S.M.P.S. = An Investigation of the Characteristics of MOSFET Synchronous Rectification Circuit
한글로보기https://www.riss.kr/link?id=A30062614
- 저자
- 발행기관
- 학술지명
- 권호사항
-
발행연도
1996
-
작성언어
Korean
-
KDC
569.000
-
자료형태
학술저널
-
수록면
191-222(32쪽)
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부가정보
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
To improve the rectification efficiency, designed S.M.P.S. were fabricated by replacing diodes with power MOSFETs. The characteristics between these S.M.P.S. and existing diode-type S.M.P.S. at a load of 2.5［A］and 5［A］ were compared. The results represent that independent synchronous gate-driven half bridge MOSFET rectifier obtaines a little increased total rectification efficiency, that is, increased 4.84% at a load of 2.5［A］ and 1.55% at a load of 5［A] and self synchronous gate-driven flyback MOSFET retifier obstaines a little incerased total rectification efficiency, that is, increased 2.49% at a load of 2.5［A］ and 3.47% at a load of 5［A］, than diode-type S.M.P.S..
To improve the rectification efficiency, designed S.M.P.S. were fabricated by replacing diodes with power MOSFETs. The characteristics between these S.M.P.S. and existing diode-type S.M.P.S. at a load of 2.5［A］and 5［A］ were compared. The results represent that independent synchronous gate-driven half bridge MOSFET rectifier obtaines a little increased total rectification efficiency, that is, increased 4.84% at a load of 2.5［A］ and 1.55% at a load of 5［A] and self synchronous gate-driven flyback MOSFET retifier obstaines a little incerased total rectification efficiency, that is, increased 2.49% at a load of 2.5［A］ and 3.47% at a load of 5［A］, than diode-type S.M.P.S..
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