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Comparison of PdGe and NiGe based ohmic contacts to high - low doped n - GaAs
곽준섭, 김화년,백흥구,김해천,이재진,편광의,이종람,박찬경 한국진공학회 1996 p.21-22
The measurement of In composition in InGaAs / InAlAs / InP P - HEMT structure grown by MBE
이혜권, 홍상기,이재진,김상기,남기수,박형무 한국진공학회 1996 p.28-29