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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      Investigation of electronic and optical properties in Al-Ga codoped ZnO thin films

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      https://www.riss.kr/link?id=A107540080

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      Electronic and optical properties of Al-Ga codoped ZnO thin films were investigated by post-annealing. The lowest resistivity of the Al-Ga codoped ZnO films was observed from the 450 <SUP>o</SUP>C-annealed sample. The Fermi-level shift of the Al-Ga codoped ZnO film was ∼0.6 eV from x-ray photoelectron spectroscopy, and the widening of optical-bandgap in the Al-Ga codoped ZnO film was ∼0.3 eV. The correlations of optical-bandgap with Fermi-level shift and conduction band filling were suggested by schematic band diagrams.
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      Electronic and optical properties of Al-Ga codoped ZnO thin films were investigated by post-annealing. The lowest resistivity of the Al-Ga codoped ZnO films was observed from the 450 <SUP>o</SUP>C-annealed sample. The Fermi-level ...

      Electronic and optical properties of Al-Ga codoped ZnO thin films were investigated by post-annealing. The lowest resistivity of the Al-Ga codoped ZnO films was observed from the 450 <SUP>o</SUP>C-annealed sample. The Fermi-level shift of the Al-Ga codoped ZnO film was ∼0.6 eV from x-ray photoelectron spectroscopy, and the widening of optical-bandgap in the Al-Ga codoped ZnO film was ∼0.3 eV. The correlations of optical-bandgap with Fermi-level shift and conduction band filling were suggested by schematic band diagrams.

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