In situ 고상 에피택시 방법에 의한 CoSi₂/Si(111)구조의 형성 = Formation of Cosi₂/Si(111) by in situ Solid-Phase Epitaxy in UHV

국문 초록 (Abstract)

초고진공에서 공상에피택시(solid-phase epiyaxy, SPE) 방법으로 CoSi₂를 Si(111)기판 위에 에피택시 성장시켰다. 2MeV⁴He++ ion후방산란 분광기와 사중결정 x-선 회절기 및 고분해 투과전자 현미경을 이용하여 성장된 CoSi₂의 상과 조성, 결정성, 그리고 계면의 미시구조를 조사하였다. 초고진공상태의 실온에서 Si(111)-7X7기판에 Co를 약 20 ~50 ?? 중착한 후 SPE에 의하여 실리사이드를 형성시키는 경우 600℃에서는 B-형의 CoSi₂가, 그리고 700℃에서는 A형의 CoSi₂가 선택적으로 에피택시 성장하였으며, 정합성은 B-CoSi₂[110]//Si[110] and CoSi₂(111)//Si(111)이, 그리고 700℃에서는 A-CoSi₂[110]//Si[110], CoSi₂(002)//Si(002)을 나타내었다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Epitaxial films of CoSi₂were grown on Si(111) substrates by in situ solid-phase epitaxy in a ultrahigh vacuum. The phase, the chemical composition, the crystallinity, and the microstructure of the Silicide/Si interface were investigated by 2-MeV⁴He++ ion-backscattering spectrometry, quadruple crystal X-ray diffractometry, and high-resolution transmission eletron micorscopy. High-quality films of either B-type or A-type CoSi₂ could be grown selectively on Si(111) substrates by depositing ~ 20 ~ 50 ?? of Co on a Si(111)-7X7 substrate followed by in situ annealing at 600℃ or 700℃ for 10 min. The matching face relationships are CoSi₂[110]//Si[110] and CoSi₂(111)//Si(111) by B-type CoSi₂ and CoSi₂[110]//Si[110]//Si[110] and CoSi₂(002)//Si(002) for A-type CoSi₂.